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1. US20080211017 - Semiconductor device

官庁 アメリカ合衆国
出願番号 11664096
出願日 29.09.2005
公開番号 20080211017
公開日 04.09.2008
特許番号 7709888
特許付与日 04.05.2010
公報種別 B2
IPC
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
H01L 29/66
H01L 29/78
CPC
H01L 29/7811
H01L 21/823487
H01L 27/088
H01L 29/4236
H01L 29/4238
H01L 29/66734
出願人 Panasonic Corporation
発明者 Mizokuchi Shuji
Tsunoda Kazuaki
代理人 McDermott Will & Emery LLP
優先権情報 2004283888 29.09.2004 JP
発明の名称
(EN) Semiconductor device
要約
(EN)

A semiconductor substrate is formed with trenches, and each of the trenches includes: a gate electrode portion in which a gate electrode is arranged; and a gate lead portion which is brought into contact with an interconnect for electrically connecting the gate electrode to the outside. In the gate lead portion for electrically connecting the gate electrode to the outside, an end of each of the trenches has a greater width than a portion of the trench other than the end.