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1. (US20190040317) WET ETCHING COMPOSITION FOR SUBSTRATE HAVING SiN LAYER AND Si LAYER AND WET ETCHING METHOD USING SAME

官庁 : アメリカ合衆国
出願番号: 16068811 出願日: 22.09.2017
公開番号: 20190040317 公開日: 07.02.2019
公報種別: A1
PCT 関連事項: 出願番号:PCTJP2017034250 ; 公開番号: クリックしてデータを表示
IPC:
C09K 13/08
H01L 21/306
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K
他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
13
エッチング,表面つや出しまたは酸洗い(ピクリング)用組成物
04
無機酸を含有するもの
08
ふっ素化合物を含有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
CPC:
C09K 13/08
H01L 21/30604
H01L 21/32134
出願人: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
発明者: Akinobu HORITA
Kenji SHIMADA
Kenichi TAKAHASHI
Toshiyuki OIE
Aya ITO
優先権情報: 2016-250545 26.12.2016 JP
発明の名称: (EN) WET ETCHING COMPOSITION FOR SUBSTRATE HAVING SiN LAYER AND Si LAYER AND WET ETCHING METHOD USING SAME
要約:
(EN)

The present invention relates to a wet etching composition for a substrate having a SiN layer and a Si layer, comprising 0.1-50 mass % fluorine compound (A), 0.04-10 mass % oxidant (B) and water (D) and having pH in a range of 2.0-5.0. The present invention also relates to a wet etching process for a semiconductor substrate having a SiN layer and a Si layer, the process using the wet etching composition. The composition of the present invention can be used for a substrate having a SiN layer and a Si layer to enhance removal selectivity of Si over SiN while reducing corrosion of the device and the exhaust line and air pollution caused by a volatile component generated upon use and further a burden on the environment caused by the nitrogen content contained in the composition.


また、:
CN108513679KR1020180087420EP3389083WO/2018/123166