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1. (US20180108395) Semiconductor storage device and method for writing of the same

官庁 : アメリカ合衆国
出願番号: 15568811 出願日: 01.08.2016
公開番号: 20180108395 公開日: 19.04.2018
特許番号: 10049715 特許付与日: 14.08.2018
公報種別: B2
(国内移行後) 元 PCT 国際出願 出願番号:PCTJP2016072463 ; 公開番号: クリックしてデータを表示
IPC:
G11C 11/34
G11C 11/404
G11C 11/4074
G11C 7/10
G11C 16/28
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
11
特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置;そのための記憶素子
21
電気的素子を用いるもの
34
半導体装置を用いるもの
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
11
特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置;そのための記憶素子
21
電気的素子を用いるもの
34
半導体装置を用いるもの
40
トランジスタを用いるもの
401
リフレッシングまたは電荷再生,すなわちダイナミック・セル
403
多数のメモリセルに共通な電荷再生,すなわち外部リフレッシュをもつもの
404
1つのセル当り,1つの電荷転送ゲート,例.MOSトランジスタ,をもつもの
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
11
特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置;そのための記憶素子
21
電気的素子を用いるもの
34
半導体装置を用いるもの
40
トランジスタを用いるもの
401
リフレッシングまたは電荷再生,すなわちダイナミック・セル
4063
周辺回路,例.アドレス用,デコード用,駆動用,書込み用,検出用,または同期用
407
電界効果型のメモリ・セル用の周辺回路,例.アドレシング,復号化,駆動,書込み,検知または同期用
4074
電力供給回路または発電回路,例.バイアス電圧発生器,基板電圧発生器,バックアップ電源,電源制御回路
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
7
デジタル記憶装置に情報を書き込みまたはデジタル記憶装置から情報を読み出す機構
10
入力/出力データ・インターフェイス装置,例.データ制御回路,I/Oデータ・バッファ
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
16
消去可能でプログラム可能なリードオンリメモリ
02
電気的にプログラム可能なもの
06
周辺回路,例.メモリへの書込み用
26
センス回路または読出し回路;データ出力回路
28
差動センシングまたはリファレンス・セルを用いるもの,例.ダミー・セル
CPC:
G11C 11/404
G11C 11/4074
G11C 16/28
G11C 7/1096
出願人: DENSO CORPORATION
発明者: Yoshihide Kai
代理人: Posz Law Group, PLC
優先権情報: 2015-155081 05.08.2015 JP
発明の名称: (EN) Semiconductor storage device and method for writing of the same
要約: front page image
(EN)

A semiconductor storage device includes a memory cell, a switch, a source driver, a drain driver, a voltage measurement circuit and a control electrode driver. The memory cell has a control electrode, a floating electrode, a source and a drain. In a writing to the memory cell, the voltage measurement circuit measures a voltage generated between the control electrode and the source when the switch is in an on state connecting the control electrode and the drain and a predetermined current flows from the current source to the memory cell, and the control electrode driver applies to the control electrode a voltage that is controlled based on the voltage measured by the voltage measurement circuit.


Also published as:
WO/2017/022700