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1. US20180102745 - Low-noise amplifier and electronic device

官庁
アメリカ合衆国
出願番号 15836115
出願日 08.12.2017
公開番号 20180102745
公開日 12.04.2018
特許番号 10361663
特許付与日 23.07.2019
公報種別 B2
IPC
H03F 3/191
H電気
03基本電子回路
F増幅器
3増幅素子として電子管のみまたは半導体装置のみをもつ増幅器
189高周波増幅器,例.無線周波増幅器
19半導体装置のみをもつもの
191同調増幅器
H03F 1/26
H電気
03基本電子回路
F増幅器
1増幅素子として電子管のみ,半導体装置のみまたは汎用素子のみを用いた増幅器の細部
26増幅素子によって発生する雑音の影響を低減するための増幅器の変形
H03F 3/19
H電気
03基本電子回路
F増幅器
3増幅素子として電子管のみまたは半導体装置のみをもつ増幅器
189高周波増幅器,例.無線周波増幅器
19半導体装置のみをもつもの
H03F 3/21
H電気
03基本電子回路
F増幅器
3増幅素子として電子管のみまたは半導体装置のみをもつ増幅器
20電力増幅器,例.B級増幅器,C級増幅器
21半導体装置のみをもつもの
H03F 3/193
H電気
03基本電子回路
F増幅器
3増幅素子として電子管のみまたは半導体装置のみをもつ増幅器
189高周波増幅器,例.無線周波増幅器
19半導体装置のみをもつもの
193電界効果装置をもつもの
H03F 3/24
H電気
03基本電子回路
F増幅器
3増幅素子として電子管のみまたは半導体装置のみをもつ増幅器
20電力増幅器,例.B級増幅器,C級増幅器
24送信機出力段の
CPC
H03F 3/19
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
189High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
19with semiconductor devices only
H03F 1/26
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
26Modifications of amplifiers to reduce influence of noise generated by amplifying elements
H03F 3/193
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
189High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
19with semiconductor devices only
193with field-effect devices
H03F 3/21
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
21with semiconductor devices only
H03F 3/245
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
24of transmitter output stages
245with semiconductor devices only
H03F 3/601
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
60Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
601using FET's, e.g. GaAs FET's
出願人 Murata Manufacturing Co., Ltd.
発明者 Saneaki Ariumi
代理人 Pearne & Gordon LLP
優先権情報 2015-118292 11.06.2015 JP
発明の名称
(EN) Low-noise amplifier and electronic device
要約
(EN)

Provided is a low-noise amplifier that can effectively suppress noise included in an input signal. A low-noise amplifier according to an embodiment of the present invention amplifies a reception signal in a predetermined frequency band from an antenna. The low-noise amplifier includes an input terminal, an output terminal, a field effect transistor, and a branch circuit. The branch circuit is branched from a circuit connecting the input terminal or the output terminal to the field effect transistor. The branch circuit is connected to the elastic wave resonator.


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