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1. (US20170022605) DEPOSITION APPARATUS, METHOD FOR CONTROLLING SAME, DEPOSITION METHOD USING DEPOSITION APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

官庁 : アメリカ合衆国
出願番号: 15124170 出願日: 23.02.2015
公開番号: 20170022605 公開日: 26.01.2017
公報種別: A1
(国内移行後) 元 PCT 国際出願 出願番号:PCTJP2015000886 ; 公開番号: クリックしてデータを表示
IPC:
C23C 14/54
H01L 51/52
C23C 14/24
H01L 51/56
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
54
被覆工程の制御または調整(制御または調整一般G05)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50
光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
52
装置の細部
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
24
真空蒸着
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50
光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
56
このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
CPC:
C23C 14/542
H01L 51/56
H01L 51/5215
C23C 14/243
出願人: JOLED INC.
発明者: Akira TAKIGUCHI
優先権情報: 2014-048024 11.03.2014 JP
発明の名称: (EN) DEPOSITION APPARATUS, METHOD FOR CONTROLLING SAME, DEPOSITION METHOD USING DEPOSITION APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
要約: front page image
(EN)

A vapor deposition apparatus that performs co-deposition to deposit different vapor deposition materials onto a vapor deposition target. The vapor deposition apparatus includes: a chamber accommodating the vapor deposition target; a first vapor deposition source ejecting vapor of a first vapor deposition material towards the vapor deposition target; a second vapor deposition source ejecting vapor of a second vapor deposition material differing from the first vapor deposition material towards the vapor deposition target; a first heater heating the first vapor deposition material; a second heater heating the second vapor deposition material; and a heat controller controlling the first and second heaters. The heat controller is capable of controlling the first and second heaters so that increasing of the temperature of the second vapor deposition material is commenced after a predetermined time period has elapsed from commencement of increasing of the temperature of the first vapor deposition material.


Also published as:
CN106103790JPWO2015136857US20180298489WO/2015/136857