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1. (US20160314945) SPUTTERING TARGET OF SINTERED Sb-Te-BASED ALLOY

官庁 : アメリカ合衆国
出願番号: 15102305 出願日: 20.02.2015
公開番号: 20160314945 公開日: 27.10.2016
公報種別: A1
(国内移行後) 元 PCT 国際出願 出願番号:PCTJP2015054712 ; 公開番号: クリックしてデータを表示
IPC:
H01J 37/34
C22C 28/00
C23C 14/14
B22F 3/15
C23C 14/10
B22F 9/04
B22F 9/08
C22C 12/00
C23C 14/08
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
37
放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの
32
ガス入り放電管
34
陰極スパッタをともなって動作するもの
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
28
グループ5/00から27/00に分類されない金属を基とする合金
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
14
金属質材料,ほう素またはけい素
B 処理操作;運輸
22
鋳造;粉末冶金
F
金属質粉の加工;金属質粉からの物品の製造;金属質粉の製造;金属質粉に特に適する装置または機械
3
成形または焼結方法に特徴がある金属質粉からの工作物または物品の製造;特にそのために適した装置
12
成形と焼結の両者を特徴とするもの
14
両者を同時に行なうもの
15
熱間静水圧プレス
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
10
ガラスまたはシリカ
B 処理操作;運輸
22
鋳造;粉末冶金
F
金属質粉の加工;金属質粉からの物品の製造;金属質粉の製造;金属質粉に特に適する装置または機械
9
金属質粉またはその懸濁液の製造;それに特に適する装置または機械
02
物理的プロセスを用いるもの
04
固体物質からはじまるもの,例.破砕,研磨または粉砕によるもの
B 処理操作;運輸
22
鋳造;粉末冶金
F
金属質粉の加工;金属質粉からの物品の製造;金属質粉の製造;金属質粉に特に適する装置または機械
9
金属質粉またはその懸濁液の製造;それに特に適する装置または機械
02
物理的プロセスを用いるもの
06
液体物質からはじまるもの
08
鋳造によるもの,例.ふるいを通してまたは水中への鋳造,アトマイズまたはスプレイによるもの
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
12
アンチモンまたはビスマスを基とする合金
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
08
酸化物
CPC:
H01J 37/3429
C22C 12/00
C22C 28/00
C23C 14/14
C23C 14/086
C23C 14/08
C23C 14/10
C23C 14/083
B22F 9/04
B22F 9/082
B22F 3/15
B22F 200/044
B22F 200/0848
出願人: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
発明者: Yoshimasa Koido
優先権情報: 2014-061965 25.03.2014 JP
2014-061966 25.03.2014 JP
発明の名称: (EN) SPUTTERING TARGET OF SINTERED Sb-Te-BASED ALLOY
要約: front page image
(EN)

Sb—Te-based alloy sintered sputtering target having a Sb content of 10 to 60 at %, a Te content of 20 to 60 at %, and remainder being one or more types of elements selected from Ag, In, and Ge and unavoidable impurities, wherein an average grain size of oxides is 0.5 μm or less. An object of this invention is to improve the texture of the Sb—Te-based alloy sintered sputtering target in order to prevent the generation of arcing during sputtering and improve the thermal stability of the sputtered film.


Also published as:
EP3048184SG11201604727UCN105917021KR1020180052775WO/2015/146394