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1. US20160141156 - PRODUCTION METHOD FOR INFRARED RADIATION REFLECTING FILM

官庁
アメリカ合衆国
出願番号 14764682
出願日 30.01.2014
公開番号 20160141156
公開日 19.05.2016
公報種別 A1
IPC
H01J 37/34
H電気
01基本的電気素子
J電子管または放電ランプ
37放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの
32ガス入り放電管
34陰極スパッタをともなって動作するもの
C23C 14/20
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06被覆材料に特徴のあるもの
14金属質材料,ほう素またはけい素
20有機質基板上に被覆するもの
C23C 14/08
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06被覆材料に特徴のあるもの
08酸化物
C23C 14/34
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
CPC
H01J 37/3429
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
34operating with cathodic sputtering
3411Constructional aspects of the reactor
3414Targets
3426Material
3429Plural materials
出願人 NITTO DENKO CORPORATION
発明者 Masahiko WATANABE
Yutaka OHMORI
優先権情報 2013-016633 31.01.2013 JP
2014008874 21.01.2014 JP
発明の名称
(EN) PRODUCTION METHOD FOR INFRARED RADIATION REFLECTING FILM
要約
(EN)

An infrared reflecting film includes an infrared reflecting layer having a metal layer and a metal oxide layer and a transparent protective layer in this order on a transparent film substrate. In the manufacturing method, the metal oxide layer is deposited by a DC sputtering method using a roll-to-roll sputtering apparatus. A sputtering target used in the DC sputtering method contains zinc atoms and tin atoms. The sputtering target is preferably obtained by sintering a metal powder and at least one metal oxide among zinc oxide and tin oxide.