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1. (US20140355337) Method of pinning domain walls in a nanowire magnetic memory device

官庁 : アメリカ合衆国
出願番号: 14350434 出願日: 08.10.2012
公開番号: 20140355337 公開日: 04.12.2014
特許番号: 09293184 特許付与日: 22.03.2016
公報種別: B2
PCT 関連事項: 出願番号:PCTGB2012052493 ; 公開番号: クリックしてデータを表示
IPC:
G11C 19/00
G11C 19/02
G11C 7/00
G11C 11/00
G11C 5/02
G11C 19/38
G11C 11/16
G11C 11/14
H04L 12/26
G11C 19/08
G11C 14/00
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
19
情報がステップ形式で移動するデジタル記憶装置,例.シフト・レジスター
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
19
情報がステップ形式で移動するデジタル記憶装置,例.シフト・レジスター
02
磁気素子を用いるもの
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
7
デジタル記憶装置に情報を書き込みまたはデジタル記憶装置から情報を読み出す機構
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
11
特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置;そのための記憶素子
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
5
11/00に分類される記憶装置の細部
02
記憶素子の配置,例.マトリックス配列におけるもの
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
19
情報がステップ形式で移動するデジタル記憶装置,例.シフト・レジスター
38
二次元の,例.水平方向と垂直方向に情報が移動するシフト・レジスター
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
11
特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置;そのための記憶素子
02
磁気的素子を用いるもの
16
記憶作用が磁気的スピン効果に基づいている素子を用いるもの
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
11
特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置;そのための記憶素子
02
磁気的素子を用いるもの
14
薄膜素子を用いるもの
H 電気
04
電気通信技術
L
デジタル情報の伝送,例.電信通信
12
データ交換ネットワーク
02
細部
26
監視配置;試験配置
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
19
情報がステップ形式で移動するデジタル記憶装置,例.シフト・レジスター
02
磁気素子を用いるもの
08
平板薄膜構造を用いるもの
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
14
電源遮断時にバックアップするための,揮発性メモリセルと不揮発性メモリセルの配置によって特徴づけられたデジタル記憶装置
出願人: University of York
発明者: Kevin O'Grady
Gonzalo Vallejo Fernandez
Atsufumi Hirohata
代理人: DASCENZO Intellectual Property Law, P.C.
優先権情報: 1117446.3 10.10.2011 GB
発明の名称: (EN) Method of pinning domain walls in a nanowire magnetic memory device
要約: front page image
(EN)

There is provided a method of pinning domain walls in a magnetic memory device (10) comprising using an antiferromagnetic material to create domain wall pinning sites. Junctions (22) where arrays of ferromagnetic nanowires (16) and antiferromagnetic nanowires (20) cross exhibit a permanent exchange bias interaction between the ferromagnetic material and the antiferromagnetic material which creates domain wall pinning sites. The exchange bias field is between 30 to 3600 Oe and the anisotropy direction of the ferromagnetic elements is between 15 to 75° to an anisotropy direction of the antiferromagnetic elements.