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1. (SG11201607443X) RESIST COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN

官庁 : シンガポール
出願番号: 11201607443X 出願日: 13.03.2015
公開番号: 11201607443X 公開日: 28.10.2016
公報種別: A1
(国内移行後) 元 PCT 国際出願 出願番号:PCTJP2015057470 ; 公開番号:2015137485 クリックしてデータを表示
IPC:
G03F 7/038
C07C 39/15
G03F 7/004
H01L 21/027
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
038
不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物
C 化学;冶金
07
有機化学
C
非環式化合物または炭素環式化合物
39
6員芳香環の炭素原子に結合している少なくとも1個の水酸基またはO―金属基をもつ化合物
12
芳香環以外に不飽和結合を有しない多環式のもの
15
すべての水酸基を非縮合環に有するもの
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
04
クロム酸塩
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
CPC:
C07C 39/15
G03F 7/0382
G03F 7/0045
G03F 7/162
G03F 7/168
G03F 7/2037
G03F 7/327
G03F 7/40
出願人: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
発明者: SATO, Takashi
ECHIGO, Masatoshi
優先権情報: 2014-050767 13.03.2014 JP
発明の名称: (EN) RESIST COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN
要約:
Also published as:
EP3118684US20170075220JPWO2015137485CN106133604KR1020160134678WO/2015/137485