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1. (KR1020070035095) NEGATIVE ELECTRODE FOR NONAQUEOUS ELECTROLYTE SECONDARY BATTERY AND METHOD FOR PRODUCING SAME
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청구의 범위
청구항 1
적어도 Li를 전기화학적으로 흡수저장 및 방출 가능한 활물질층, 및 상기 활물질층을 담지하는 Li와 반응하지 않는 집전체 시트를 구비하고,
상기 활물질층은, 상기 집전체 시트의 표면에 담지된 복수의 퇴적막 혹은 소결막을 포함하며,
각 퇴적막 혹은 각 소결막의 측면에는, 상면측으로부터 집전체 시트측을 향하는 적어도 1개의 홈이 형성되어 있고,
상기 복수의 퇴적막 혹은 소결막은, 각각 「막두께」 ÷ 「상면의 최단폭」으로 정의되는 어스펙트비가 0.1 이상 1.5 이하인, 비수전해질 2차 전지용 음극.
청구항 2
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청구항 3
제 1 항에 있어서, 상기 복수의 퇴적막 혹은 소결막은, 상기 집전체 시트의 표면에, 격자형상, 송곳니형 격자형상 또는 벌집형상으로 배열하고 있는, 비수전해질 2차 전지용 음극.
청구항 4
제 1 항에 있어서, 방전 상태에 있어서, 상기 복수의 퇴적막 혹은 소결막의 평균 높이가, 1㎛이상 3O㎛이하인, 비수전해질 2차 전지용 음극.
청구항 5
제 1 항에 있어서, 방전 상태에서, 서로 인접하는 퇴적막간 혹은 소결막간의 최단 거리가, 상기 상면의 최단폭보다 좁은, 비수전해질 2차 전지용 음극.
청구항 6
제 1 항에 있어서, 각 퇴적막 혹은 각 소결막이, Li와 전기화학적으로 반응하는 원소 M1를 포함하고, 원소 M1가, Si, Sn, Al, Ge, Pb, Bi 및 Sb로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종인, 비수전해질 2차 전지용 음극.
청구항 7
제 1 항에 있어서, 각 퇴적막 혹은 각 소결막이, Li와 전기화학적으로 반응하지 않는 원소 M2를 포함하고, 원소 M2가, 천이 금속 원소로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종인, 비수전해질 2차 전지용 음극.
청구항 8
제 7 항에 있어서, 원소 M2의 함유량은, 각 퇴적막 혹은 각 소결막의 표면측보다도, 상기 집전체 시트측쪽에서 높아지고 있는, 비수전해질 2차 전지용 음극.
청구항 9
제 6 항에 있어서, 원소 M1은, 각 퇴적막 혹은 각 소결막중에서, 저결정 또는 비정질의 영역을 형성하고 있는, 비수전해질 2차 전지용 음극.
청구항 10
제 6 항에 있어서, 각 퇴적막 혹은 각 소결막중의 원소 M1의 함유량이, 40중량% 이상인, 비수전해질 2차 전지용 음극.
청구항 11
리튬의 흡수저장 및 방출이 가능한 양극, 제 1 항에 기재된 음극, 상기 양극과 음극의 사이에 개재하는 세퍼레이터, 및 비수전해질을 구비한 비수전해질 2차 전지.
청구항 12
(i) 적어도 Li를 전기화학적으로 흡수저장 및 방출 가능한 활물질로 이루어지는 박막을, Li와 반응하지 않는 집전체 시트의 표면에 형성하고,
(ⅱ) 상기 박막상에 복수의 마스크를 배치하고,
(ⅲ) 상기 박막의 상기 복수의 마스크로 덮이지 않은 노출 부분에, 미립자를 박는 것에 의해, 상기 노출 부분을 깎아내고,
(ⅳ) 상기 노출 부분이 깎여진 박막으로부터, 상기 복수의 마스크를 제거하는 것을 포함한 비수전해질 2차 전지용 음극의 제조법.
청구항 13
제 12 항에 있어서, 상기 공정(i)에 있어서, 상기 박막을 스퍼터, 증착 또는 CVD법에 의해 형성하는, 비수전해질 2차 전지용 음극의 제조법.
청구항 14
제 12 항에 있어서, 상기 공정(i)에 있어서, 상기 집전체 시트의 표면에, 활물질입자와 바인더를 포함한 페이스트의 도막을 형성하고, 상기 도막을 소결함으로써 상기 박막을 형성하는, 비수전해질 2차 전지용 음극의 제조법.
청구항 15
제 12 항에 있어서, 상기 공정(i)에 있어서, 상기 집전체 시트의 표면에, 활물질입자를 충돌시킴으로써, 상기 박막을 형성하는, 비수전해질 2차 전지용 음극의 제조법.
청구항 16
제 12 항에 있어서, 상기 공정(ⅱ)에 있어서, 상기 복수의 마스크를 포토레지스트에 의해 형성하는, 비수전해질 2차 전지용 음극의 제조법.
청구항 17
제 12 항에 있어서, 상기 공정(ⅱ)에 있어서, 상기 박막상에 고분자 재료를 인쇄함으로써, 상기 복수의 마스크를 형성하는, 비수전해질 2차 전지용 음극의 제조법.
청구항 18
제 12 항에 있어서, 상기 공정(ⅲ)에서, 상기 미립자의 직경이, 상기 복수의 마스크의 하나당의 최단폭의 1/2이하인, 비수전해질 2차 전지용 음극의 제조법.
청구항 19
제 12 항에 있어서, 상기 공정(ⅲ)에 있어서, 상기 미립자가, Al 2O 3, SiC 및, Si 3N 4로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로 이루어지는, 비수전해질 2차 전지용 음극의 제조법.