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1. KR1020060088550 - THICK FLAT-PLATE MOLDED PRODUCT AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

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[ KO ]
명 세 서
후물 평판 성형품 및 그 제조 방법{THICK FLAT-PLATE MOLDED PRODUCT AND METHOD OF PRODUCING THE SAME}

기 술 분 야
 본 발명은 후물(厚物) 평판 성형품 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 중앙부로부터 주연부까지 두께가 균일하여 편차가 없고, 금형 표면의 미세한 요철 모양을 정확하게 전사하고, 광학재료로서 양호하게 사용할 수 있는 후물 평판 성형품 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

발명이 속하는 기술 및 그 분야의 종래기술
 사출 성형품은, 일용품, 자동차 부품, 가전 부품, 전자 부품, 광학 기기 등, 범용으로부터 정밀 용도에 이르기까지 광범위하게 사용되고 있다. 사출 성형품의 품질과 생산성의 양부(良否)는 금형의 양부에 좌우되는 것이 크다. 사출 성형용 금형의 제작에는, 공작 정밀도, 품질의 균일화, 생산성 등, 모든 면에서 고도의 기술이 요구된다. 액정 표시 장치의 광확산판, 도광판 등은, 언뜻 보면 단순한 형상의 평판이지만, 실용상은 매우 엄밀한 평면성이 필요하여서, 두께 편차가 없는 것이 요구된다. 평판과 같은 단순한 형상이어도, 두께 편차가 없는 사출 성형품을 제조하는 것은 용이하지 않고, 두께 편차가 없는 사출 성형품을 제조하기 위해서 여러가지 시도가 이루어지고 있다.
 예를 들면, 플래튼(platen) 평행도의 편차나 타이바(tie bar) 신장의 변화에 기인한 금형의 마모나 성형체의 두께 편차를 저감시키는 사출 성형 방법으로서, 고정 플래튼과 가동 플래튼의 평행도를 각각 실제의 사출 성형시의 플래튼 온도에 상당하는 온도로 가열한 상태로 미리 조정해 두고, 사출 성형시에 플래튼을 평행도 조정시의 온도로 유지하는 방법이 제안되고 있다(특허문헌 1). 그러나, 사출 성형에 있어서는, 금형 체결 압력이나 사출 압력 등의 힘이 작용해서 금형이 변형하므로, 특히 대형 성형품의 경우에는, 온도 제어만으로 평행성을 실현하는 것은 곤란하다. 또한, 광자기 디스크 기반(基盤) 등의 치수 정밀도와 면 거칠기 정밀도를 높이고, 성형체의 충전 밀도를 높일 수 있는 사출 성형 금형으로서, 고정측 조립과 가동측 조립을 갖고, 원반 캐비티(cavity)중에 사출된 용융 수지 재료가 응고하기 전에 컷 슬리브(cut sleeve)를 밀어 올려서 중심 구멍의 형성과 원반 캐비티부의 밀폐를 동시에 실행하고, 다음에 가동측 조립을 상승시켜서 1차 성형체를 재압축하는 금형이 제안되어 있다(특허문헌 2). 그러나, 대형의 직사각형 성형품의 두께 편차를 이러한 수단에 의해 저감하는 것은 곤란하다. 더욱이, 성형 압력에 의한 금형의 휨을 억제하는 것이 가능해지고, 파팅면(parting surface)에 큰 간극이 발생하여 버어(burr)가 발생하는 것을 억제할 수 있는 금형으로서, 성형 압력에 의한 금형의 휨을 억제하도록, 캐비티의 수 및 배치에 따라 이젝터 공간을 복수 형성한 사출 성형용 금형이 제안되어 있다(특허문헌 3). 그러나, 이러한 수단은 다수개 캐비티의 금형에는 유효하여도, 대형 성형품 1개 캐비티의 금형에 적용할 수는 없다.
 [특허문헌 1] 일본 특허 공개 제 1998-323872 호 공보(제 2 쪽, 도 1-2)
 [특허문헌 2] 일본 특허 공개 제 1994-270208 호 공보(제 2-3 쪽, 도 1)
 [특허문헌 3] 일본 특허 공개 제 1998-44197 호 공보(제 2 쪽, 도 1)
  발명의 요약
 본 발명은, 중앙부로부터 주연부까지 두께가 균일하여 편차가 없고, 금형 표면의 미세한 요철 모양을 정확하게 전사하고, 광학재료로서 양호하게 사용할 수 있는 후물 평판 성형품 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 하여 이루어진 것이다.
 본 발명자들은, 상기의 과제를 해결하기 위해 예의 연구를 거듭한 결과, 열가소성 수지의 사출 성형에 의해 후물 평판 성형품을 제조하면, 후물 평판 성형품의 주연부의 두께가 중앙부의 두께보다도 두꺼워지고, 그 때문에 후물 평판 성형품을 액정 표시 장치의 도광판으로서 사용했을 때, 화면의 주연부에 밝은 선(明線)이나 어두운 띠(暗帶) 등의 휘도가 다른 줄무늬형상의 부분이 생기는 것, 및 사출 성형용 금형의 단부 변을 가열하여 금형의 중앙부보다 고온으로 유지함으로써, 후물 평판 성형품의 주연부의 두께와 중앙부의 두께의 차이가 감소하여, 후물 평판 성형품을 액정 표시 장치의 도광판으로서 사용했을 때, 화면의 주연부에 밝은 선이나 어두운 띠 등이 발생하지 않게 되는 것을 알아내고, 이러한 지견에 근거하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
 즉, 본 발명은,
 ① 사출 성형법에 의해 제조된 열가소성 수지를 포함하여 이루어지는 직사각형의 후물 평판 성형품에 있어서, 이하의 수학식 1
 [수학식 1]
 갭값 = {(T 최대-T 최소)/T 중앙}×100
 (단, 상기 수학식 1에 있어서, T 최대는 평판 성형품의 최대 두께, T 최소는 평판 성형품의 최소 두께, T 중앙은 평판 성형품의 중앙부의 두께를 각각 나타냄)
 으로 나타내는 갭값이 3% 이하인 것을 특징으로 하는 후물 평판 성형품,
 ② 갭값이 1% 이하인 ①에 기재된 후물 평판 성형품,
 ③ 중앙부의 두께가 3㎜ 내지 50㎜인 ① 또는 ②에 기재된 후물 평판 성형품,
 ④ 열가소성 수지가 지환식(脂環式) 구조를 갖는 수지인 ① 내지 ③중 어느 하나에 기재된 후물 평판 성형품,
 ⑤ 열가소성 수지가 메타크릴 수지(methacrylate resin) 또는 (메타)아크릴산 알킬에스테르-방향족 비닐 화합물 공중합체인 ① 내지 ③중 어느 하나에 기재된 후물 평판 성형품,
 ⑥ 액정 표시 장치의 도광판인 ① 내지 ⑤중 어느 하나에 기재된 후물 평판 성형품, 및
 ⑦ 열가소성 수지의 후물 평판 성형품을 사출 성형법에 의해 제조함에 있어서, 사출 성형용 금형의 직사각형 캐비티의 적어도 한쌍의 대향하는 2개의 단부 변의 온도가 금형의 캐비티의 중앙부의 최고 온도보다도 2℃ 이상 높게 유지되도록 금형을 가열하는 것을 특징으로 하는 ① 내지 ⑥중 어느 하나에 기재된 후물 평판 성형품의 제조 방법을 제공하는 것이다.
 더욱이, 본 발명의 바람직한 실시형태로서,
 ⑧ 하나의 성형 싸이클중에, 금형내의 열매체 유로에 액체 소통하는 열매체를 고온의 열매체와 저온의 열매체로 교체하여, 사출시의 금형의 캐비티의 중앙부의 온도를 높게, 냉각시의 금형의 캐비티의 중앙부의 온도를 낮게 하는 ⑥에 기재된 후물 평판 성형품의 제조 방법을 들 수 있다.

도면의 간단한 설명
 도 1은 사출 성형법에 의해 제조된 후물 평판 성형품의 모식적 단면도,
 도 2는 액정 표시 장치의 화면의 설명도,
 도 3은 후물 평판 성형품의 중앙부의 설명도,
 도 4는 본 발명 방법에 있어서의 캐비티의 단부 변의 가열 방법의 하나의 실시형태를 도시하는 설명도.
 (도면 부호의 설명)
 1 : 중앙부 2 : 단부 변
 3 : 밝은 선 4 : 어두운 띠
 5 : 캐비티 6 : 막대형상 히터

발명의 상세한 설명
 본 발명의 후물 평판 성형품은, 사출 성형법에 의해 제조된 열가소성 수지의 직사각형의 후물 평판 성형품에 있어서, 최대 두께와 최소 두께의 차이가 중앙부의 두께의 3% 이하, 보다 바람직하게는 2% 이하, 특히 바람직하게는 1% 이하인 후물 평판 성형품이다. 본 발명의 후물 평판 성형품 및 그 제조 방법을 적용하는 대상에 특별히 제한은 없지만, 도광판, 광확산판, 반사판 등의 표면에 엄격한 평면성이 요구되는 대형의 후물 평판 성형품에 적합하게 적용할 수 있지만, 액정 표시 장치의 도광판에 특히 적합하게 적용할 수 있다.
 도 1은 사출 성형법에 의해 제조된 후물 평판 성형품의 모식적 단면도이다. 후물 평판 성형품을 사출 성형법에 의해 제조하면, 중앙부(1)보다도 단부 변(2)의 두께가 두꺼운 성형품이 얻어진다. 이러한 성형품을 액정 표시 장치의 도광판으로서 사용하면, 화면의 입광면의 근방에, 도 2에 모식적으로 도시하는 바와 같은, 휘도가 강한 선형상의 밝은 선(3)이나, 휘도가 약한 띠형상의 어두운 띠(4) 등이 나타나서, 화질을 저하시킨다. 액정 표시 장치의 도광판으로서, 최대 두께와 최소 두께의 차이가 중앙부의 두께의 3% 이하인 본 발명의 후물 평판 성형품을 사용함으로써, 밝은 선이나 어두운 띠 등이 없는 외관 품질이 양호한 화면을 얻을 수 있다.
 본 발명에 있어서, 후물 평판 성형품의 중앙부란, 직사각형의 후물 평판 성형품의 대각선의 교점이다. 후물 평판 성형품이 정확한 직사각형의 형상이 아닐 경우에는, 그 형상의 각 변을 연장하여 형성되는 직사각형의 대각선의 교점을 중앙부라고 한다. 이 때, 각 변의 연장에 의해 보충되는 부분과 제외되는 부분의 합계 면적이 최소로 되도록 각 변을 연장하여 직사각형을 형성한다. 도 3은 후물 평판 성형품의 중앙부의 설명도이다. 도 3의 3개의 예로 도시하는 바와 같이, 각 예에 있어서, 점선으로 도시하는 바와 같이 각 변을 연장해서 직사각형을 형성하고, 예컨대, 중앙의 도면의 일점쇄선으로 도시하는 것에는 각 변을 연장하지 않는다.
 본 발명의 후물 평판 성형품에 있어서는, 중앙부의 두께가 3㎜ 내지 50㎜인 것이 바람직하고, 5㎜ 내지 20㎜인 것이 보다 바람직하다. 중앙부의 두께가 3㎜ 미만의 평판 성형품은 최대 두께와 최소 두께의 차이가 중앙부의 두께의 3%를 초과하여도, 밝은 선이나 어두운 띠 등의 광학적인 불량이 생기기 어렵다. 중앙부의 두께가 50㎜를 초과하는 후물 평판 성형품은 냉각에 장시간을 필요로 하므로 사출 성형법에 의해 제조하는 것은 이득이 없다.
 본 발명에 사용하는 열가소성 수지에 특별히 제한은 없고, 예컨대 지환식 구조를 갖는 수지, 메타크릴 수지, 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리스티렌(polystyrene), 아크릴로니트릴-스티렌 공중합체 수지, (메타)아크릴산 에스테르-방향족 비닐 화합물 공중합체, 바람직하게는 메타크릴산 메틸스티렌 공중합체 수지, ABS 수지, 폴리에테르술폰 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 지환식 구조를 갖는 수지, 메타크릴 수지 및 (메타)아크릴산 에스테르 방향족 비닐 화합물 공중합체를 적합하게 사용할 수 있고, 지환식 구조를 갖는 수지를 특히 적합하게 사용할 수 있다.
 지환식 구조를 갖는 수지는, 용융 수지의 유동성이 양호하므로, 금형의 캐비티 표면의 미세한 요철 모양을 정확하게 전사할 수 있고, 흡습성이 극히 낮으므로, 치수 안정성이 우수하여, 후물 평판 성형품에 휨을 발생하는 일이 없고, 비중이 적으므로, 대형의 후물 평판 성형품을 경량화할 수 있다.
 지환식 구조를 갖는 수지로서는, 메인 체인 또는 사이드 체인에 지환식 구조를 갖는 중합체 수지를 들 수 있다. 메인 체인에 지환식 구조를 갖는 중합체 수지는 기계적 강도와 내열성이 양호하므로 특히 적합하게 사용할 수 있다. 지환식 구조는 포화 환상 탄화수소 구조인 것이 바람직하고, 그 탄소수는 4 내지 30인 것이 바람직하고, 5 내지 20인 것이 보다 바람직하고, 5 내지 15인 것이 더욱더 바람직하다. 지환식 구조를 갖는 중합체 수지중의 지환식 구조를 갖는 반복 단위의 비율은, 50중량% 이상인 것이 바람직하고, 70중량% 이상인 것이 보다 바람직하고, 90중량% 이상인 것이 더욱더 바람직하다.
 지환식 구조를 갖는 수지로서는, 예컨대 노르보넨계 단량체의 개환(開環) 중합체 혹은 개환 공중합체 또는 그들 수소 첨가물, 노르보넨계 단량체의 부가 중합체 혹은 부가 공중합체 또는 그들 수소 첨가물, 단환(單環)의 환상 올레핀계 단량체의 중합체 또는 그 수소 첨가물, 환상 공역 젠계 단량체의 중합체 또는 그 수소 첨가물, 비닐 지환식 탄화수소계 단량체의 중합체 혹은 공중합체 또는 그들 수소 첨가물, 비닐 방향족 탄화수소계 단량체의 중합체 또는 공중합체의 방향환(芳香環)을 포함하는 불포화 결합 부분의 수소 첨가물 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 노르보넨계 단량체의 중합체의 수소 첨가물 및 비닐 방향족 탄화수소계 단량체의 중합체의 방향환을 포함하는 불포화 결합 부분의 수소 첨가물은 기계적 강도와 내열성이 우수하므로, 특히 적합하게 사용할 수 있다.
 메타크릴 수지로서는, 메타크릴산 메틸에 유래하는 반복 단위를 전반복 단위에 대하여 바람직하게는 80몰% 이상 함유하는 것을 들 수 있다. 그 중에서도, ASTM D1238에 준하여 230℃, 37.3kg의 하중하에서 측정한 용융 유동율(melt flow rate)이 0.5 내지 20g/10분의 메타크릴 수지가 바람직하다. (메타)아크릴산 알킬에스테르 방향족 비닐 화합물 공중합체는 방향족 비닐 화합물과 저급 알킬기를 갖는 (메타)아크릴산 알킬에스테르 화합물을 공중합하여 얻을 수 있다.
 방향족 비닐 화합물로서는, 스티렌, α-메틸스티렌, m-메틸스티렌、 p-메틸스티렌、 o-클로르스티렌、 p-클로르스티렌 등을 들 수 있다. 이들을 단독 또는 2종 이상 병용하여 사용해도 좋다.
 저급 알킬기를 갖는 (메타)아크릴산 알킬에스테르 화합물로서는, 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 바람직하게는 탄소수 1 또는 2의 알킬기를 갖는 (메타)아크릴산 알킬에스테르를 들 수 있고, 구체적으로는 메타크릴산 메틸, 메타크릴산 에틸, 아크릴산 메틸, 아크릴산 에틸을 들 수 있다. 이들을 단독 또는 2종 이상 병용하여 사용해도 좋다.
 상기 공중합체를 구성하는 각 성분의 비율은, 방향족 비닐 화합물이 95중량% 내지 5중량%, 저급 알킬기를 갖는 (메타)아크릴산 알킬에스테르 화합물이 5중량% 내지 95중량%의 범위이다. 그 중에서도, 광학 특성, 성형성 등의 관점에서, 상기 방향족 비닐 화합물이 60중량% 내지 20중량%, 저급 알킬기를 갖는 (메타)아크릴산 알킬에스테르 화합물이 80중량% 내지 40중량%의 범위가 바람직하다.
 본 발명에 사용하는 열가소성 수지의 유리 전이 온도(Tg)는 80℃ 이상, 바람직하게는 90℃ 내지 250℃이다. 유리 전이 온도(Tg)는 JIS K 7121에 준하여, 시차 주사 열량 측정(DSC)에 의해 측정한다.
 또한, 본 발명의 후물 평판 성형품을 도광판으로서 사용할 경우, 전술한 수지에 필요에 따라서 그 밖의 폴리머, 각종 배합제 또는 충전제를 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 그 밖의 폴리머로서는, 폴리부타디엔, 폴리아크릴레이트 등의 고무 또는 수지를 들 수 있다.
 배합제로서는, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 광안정제, 근적외선 흡수제, 염료나 안료 등의 착색제, 윤활제, 가소제, 대전 방지제, 형광 증백제 등의 배합제를 들 수 있다. 또한, 도광판은, 반드시 투명한 필요는 없고, 폴리스티렌계 중합체, 폴리실록산계 중합체 또는 이들의 가교물로 이루어지는 미립자를 배합하여 광산란능을 부여할 수도 있다.
 상기 기타의 폴리머, 각종 배합제 또는 충전재는, 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있고, 그 배합량은 본 발명의 목적을 손상하지 않는 범위에서 적절히 선택되고, 열가소성 수지 100중량부에 대하여, 보통 0 내지 5중량부, 바람직하게는 0 내지 3중량부이다.
 본 발명의 후물 평판 성형품의 제조 방법에 있어서는, 열가소성 수지의 후물 평판 성형품을 사출 성형법에 의해 제조함에 있어서, 사출 성형용 금형의 직사각형의 캐비티의 적어도 한쌍의 대향하는 2개의 단부 변의 온도가 금형의 캐비티의 중앙부의 최고 온도보다도 2℃ 이상 높게 유지되도록 금형을 가열한다. 캐비티의 중앙부의 온도란 후물 평판 성형품의 중앙부가 접촉하는 금형의 중앙부의 온도를 지칭한다. 또한, 대향하는 2개의 단부 변의 온도란 후물 평판 성형품과 접촉하는 금형의 2개의 단부 변의 온도를 지칭한다. 또, 2개의 단부 변에 온도 분포가 있을 경우에는, 그 가장 낮은 부분의 온도를 캐비티의 중앙부의 최고 온도보다도 2℃ 이상 높게 유지할 필요가 있다. 도 4는 본 발명의 방법에 있어서의 캐비티의 단부 변의 가열 방법의 하나의 실시형태를 도시하는 설명도이다. 도 4에 있어서는, 금형의 캐비티(5)의 한쌍의 대향하는 2개의 변에 발열 저항체로 이루어지는 막대형상 히터(6)가 매설되어 있다. 막대형상 히터에 통전하는 전압을 조절함으로써, 캐비티의 단부 변의 온도를 제어할 수 있다. 도 4에 도시하는 실시형태에 있어서는, 금형의 캐비티의 한쌍의 대향하는 2개의 긴 변을 가열하고 있지만, 또한 다른 2개의 변에도 막대형상 히터를 매설하고, 캐비티의 2쌍의 대향하는 4개의 단부 변을 가열할 수도 있다. 본 발명 방법에 있어서, 캐비티의 단부 변을 가열하는 방법에 특별히 제한은 없고, 예컨대 금형내의 캐비티의 단부 변의 근방에 열매체의 유로를 형성하고, 고온의 열매체를 액체 소통함으로써 가열할 수 있다.
 본 발명의 방법에 있어서는, 금형의 캐비티의 적어도 한쌍의 대향하는 2개의 단부 변의 온도를 캐비티의 중앙부의 온도보다 높게 함으로써, 후물 평판 성형품의 주연부가 두껍게 되는 것을 막고, 두께 편차가 적은 우수한 평면성을 갖는 후물 평판 성형품을 얻을 수 있다. 또한, 후물 평판 성형품이 도광판인 경우, 출광면에는 광을 확산하기 위한 미세한 프리즘 패턴이 형성되고, 반사면에는 광의 반사방향을 제어하기 위한 미세한 돌기 등의 패턴이 형성되는 경우가 많다. 게이트(gate)로부터 캐비티내에 이송된 용융 수지는 캐비티내를 유동하고 단부 변까지 도달하여, 캐비티를 충전한다. 그리고, 캐비티내를 유동하는 동안에 용융 수지의 온도가 하강하여, 캐비티의 단부 변에서는 금형의 미세한 요철 모양의 전사가 불완전해지기 쉽다. 본 발명의 방법에 의하면, 용융 수지의 온도가 하강하기 쉬운 캐비티의 단부 변의 온도를 캐비티 중앙부의 최고 온도보다 높게 함으로써, 금형의 미세한 요철 모양의 전사성을 높일 수 있다.
 본 발명의 방법에 있어서, 금형의 온도 조절 방법에 특별히 제한은 없고, 예컨대 금형내의 열매체의 유로에 일정 온도의 열매체를 액체 소통하여, 금형 온도를 일정하게 제어할 수 있거나, 또는 사출 성형의 1 사이클중에서, 고온의 열매체와 저온의 열매체를 교체하여서 액체 소통하고, 사출시에는 금형 온도를 높게 하여서, 용융 수지의 유동성과 전사성을 높이고, 냉각시에는 금형 온도를 낮게 하여, 성형 싸이클을 짧게 하여, 생산성을 향상할 수도 있다. 금형 온도를 일정하게 제어할 경우에는, 그 온도가 캐비티 중앙부의 최고 온도가 되고, 고온의 열매체와 저온의 열매체를 교체하여 액체 소통할 경우에는, 1성형 싸이클중에 캐비티의 중앙부가 도달하는 가장 높은 온도가 캐비티의 중앙부의 최고 온도이다.
 본 발명의 방법에 있어서, 금형의 캐비티의 적어도 한쌍의 대향하는 2개의 단부 변의 온도는, 캐비티의 중앙부의 최고 온도보다 2℃ 이상 높고, 보다 바람직하게는 3℃ 내지 30℃ 높고, 더욱더 바람직하게는 5℃ 내지 20℃ 높게 유지한다. 금형의 캐비티의 단부 변의 온도와 캐비티의 중앙부의 최고 온도의 차이가 2℃ 미만이면, 후물 평판 성형품의 두께 편차를 감소하는 효과와, 금형의 미세한 요철 모양을 정확하게 전사하는 효과가 충분히 발현되지 않을 우려가 있다. 금형의 캐비티의 단부 변의 온도와 캐비티의 중앙부의 최고 온도의 차이가 지나치게 크면, 성형 싸이클이 연장되어서 생산성이 저하할 우려가 있다.
 본 발명에 있어서는, 통상 Tg+100(℃) 내지 Tg+200(℃), 바람직하게는 Tg+150(℃) 내지 Tg+200(℃)의 수지 온도에서, 통상 Tg-50(℃), 바람직하게는 Tg-30(℃) 내지 Tg (℃)의 금형 온도에서 사출 성형한다. 또, 상기 Tg는 사용하는 열가소성 수지의 유리 전이 온도(단위는 ℃)이다.
 (실시예)
 이하에, 실시예를 들어서 본 발명을 보다 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
 또, 실시예 및 비교예에 있어서, 후물 평판 성형품은 하기의 방법에 의해 평가했다.
 (1) 갭값
 도광판의 대각선의 교점을 중앙부로 하고, 중앙부를 지나는 짧은 변에 평행한 직선상에서, 도광판의 단부로부터 단부까지 0.1㎜ 간격으로, 비접촉 삼차원 측정기[일본 미타카고우키(주), NH-3]를 이용하여 두께를 측정하고, 하기의 수학식 1에 의해 갭값을 구한다.
 [수학식 1]
 갭값 = {(T 최대-T 최소)/T 중앙}×100
 단, 상기 수학식 1에 있어서, T 최대는 도광판의 최대 두께, T 최소는 도광판의 최소 두께, T 중앙은 도광판의 중앙부의 두께를 각각 나타낸다.
 (2) 전사율
 짧은 변 276.4㎜, 긴 변 344.0㎜의 도광판의 대각선의 교점을 중앙부로 하고, 중앙부를 통과하는 짧은 변에 평행한 직선상에서, 중앙부, 중앙부로부터 69.1㎜, 103.6㎜, 132㎜에서 138㎜까지 0.5㎜ 피치로 13점 및 138.2㎜에서, 초심도 현미경[일본 (주)기엔스, VK-9500]을 이용하여 원기둥형상의 돌기의 높이[h(㎛)]를 측정하고, 각 점에 대해서 하기의 수학식 2에 의해 전사율을 구하고, 또한 구한 수치로부터 평균값과 표준편차를 산출한다.
 [수학식 2]
 전사율 = (h/h t)×100(%)
 단, h t는 금형으로부터 계산되는 원기둥형상의 돌기의 이론 높이(㎛)이며, 금형 캐비티의 원기둥형상의 오목부의 깊이와 동일하다.
 (3) 외관 품질
 도광판의 2개의 긴 변에, 냉음극 형광 램프[일본 하리손 도시바 라이팅(주), MBSM24JN10WX370NLU] 각 1개를 장착하여 액정 표시 장치를 조립하고, 육안으로 램프 근방의 밝은 선과 어두운 띠에 착안하고, 외관 품질을 검사한다.
  실시예 1
 열가소성 수지로서, 지환식 구조를 갖는 수지의 일종인 노르보넨계 중합체[일본 니혼제온(주), ZEONOR1060R, 유리 전이 온도 100℃]를 사용하고, 사출 성형기[일본 도시바기계(주)、 IS350GS, 스크류 직경 70㎜, 금형 체결력 3,430kN]를 이용하여, 사출 성형법에 의해 17인치형 도광판을 제조했다.
 성형품의 치수는, 짧은 변 276.4㎜, 긴 변 344.0㎜, 두께 8.0㎜이다. 도광판의 출광면으로 되는 금형의 가동측의 캐비티의 표면에는, 광을 확산하는 프리즘 패턴으로서, 단면이 저변 50㎛, 꼭지각 140°의 이등변 삼각형인 단위 프리즘을, 인접하는 단위 프리즘끼리가 하단부에서 접하는 상태로, 긴 변에 대하여 수직하게 설치했다. 도광판의 반사면이 되는 금형의 고정측의 캐비티의 표면에는, 지름 80㎛, 높이 80㎛의 원기둥형상의 돌기를 형성하는 구멍을, 캐비티의 2개의 긴 변의 중간의 피치 130㎛로부터, 긴 변 근방의 피치 300㎛까지 순차적으로 확대하여 설치했다. 금형의 캐비티의 2개의 긴 변에 인접하여, 800W의 막대형상 히터를 1개씩 매설했다. 또한, 캐비티의 1개의 짧은 변에 팬 게이트를 설치했다.
 상기의 사출 성형기와 금형을 이용하여, 성형 온도 270℃, 금형 온도 85℃, 금형의 긴 변 근방 온도 95℃로 하고, 사출 시간 5초, 사출후 15MPa의 보압(保壓)을 10초 가하고, 그 후 냉각 120초, 취출 5초, 성형 싸이클 140초로 도광판의 사출성형을 실행했다. 금형 온도는 금형내 유로에 통수(通水)하는 온수의 온도를 80℃로 유지함으로써 조절하고, 금형의 긴 변 근방 온도는 막대형상 히터에 통전하는 전압을 제어함으로써 95℃로 유지했다. 금형의 캐비티의 중앙부의 최고 온도는 85℃ 、캐비티의 긴 변의 온도는 95℃이었다.
 얻어진 도광판의 최대 두께는 8.011㎜, 최소 두께는 7.995㎜, 중앙부의 두께는 8.001㎜이며, 갭값은 0.20%이었다. 전사율의 평균값은 89.5%이며, 표준편차는 0.34%이었다. 이 도광판을 이용하여 외관 품질을 평가한 바, 액정 표시 장치의 화면에 밝은 선, 어두운 띠는 없고, 외관 품질은 양호했다.
  실시예 2
 취출 5초, 사출 5초, 보압 10초 사이에는, 금형내 유로에 90℃의 온수를 통수하고, 냉각 100초의 사이에는 금형내 유로에 25℃의 냉수를 통수한 이외에는, 실시예 1과 동일한 조건으로 도광판의 사출 성형을 실행했다. 금형의 캐비티의 중앙부의 최고 온도는 90℃, 캐비티의 긴 변의 온도는 95℃이었다.
 얻어진 도광판의 최대 두께는 8.018㎜, 최소 두께는 7.989㎜, 중앙부의 두께는 8.005㎜이며, 갭값은 0.36%이었다. 전사율의 평균값은 93.7%이며, 표준편차는 0.18%이었다. 이 도광판을 이용하여 외관 품질을 평가한 바, 액정 표시 장치의 화면에 밝은 선, 어두운 띠는 없고, 외관 품질은 양호했다.
  실시예 3
 열가소성 수지로서, 지환식 구조를 갖는 수지의 대신에, 메타크릴 수지[일본 아사히가세이(주), 델펫80NH]을 사용하고, 성형 온도를 260℃로 한 이외에는, 실시예 1과 동일한 조건으로 도광판의 사출 성형을 실행했다.
 얻어진 도광판의 최대 두께는 8.025㎜, 최소 두께는 7.994㎜, 중앙부의 두께는 8.015㎜이며, 갭값은 0.39%이었다. 전사율의 평균값은 80.3%이며, 표준편차는 1.50%이었다. 이 도광판을 이용하여 외관 품질을 평가한 바, 액정 표시 장치의 화면에 밝은 선, 어두운 띠는 없고, 외관 품질은 양호했다.
  실시예 4
 열가소성 수지로서, 지환식 구조를 갖는 수지의 대신에, 메타크릴산 에스테 르-방향족 비닐 화합물 공중합체[일본 신일철화학(新日鐵化學)(주), 에스티렌MS-600]을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 조건으로 도광판의 사출 성형을 실행했다.
 얻어진 도광판의 최대 두께는 8.052㎜, 최소 두께는 7.978㎜, 중앙부의 두께는 8.040㎜이며, 갭값은 0.92%이었다. 전사율의 평균값은 82.4%, 표준편차는 1.82%이었다. 이 도광판을 이용하여 외관 품질을 평가한 바, 액정 표시 장치의 화면에 밝은 선, 어두운 띠는 없고, 외관 품질은 양호했다.
  비교예 1
 금형의 캐비티의 2개의 긴 변에 인접하여 매설한 막대형상 히터를 분리하고, 긴 변측으로부터의 가열을 실행하지 않은 이외에는, 실시예 1과 동일한 조건으로 도광판의 사출 성형을 실행했다. 금형의 캐비티의 중앙부의 최고 온도는 85℃, 캐비티의 긴 변의 온도는 85℃이었다.
 얻어진 도광판의 최대 두께는 8.102㎜, 최소 두께는 7.808㎜, 중앙부의 두께는 8.005㎜이며, 갭값은 3.67%이었다. 전사율의 평균값은 84.9%이며, 표준편차는 11.98%이었다. 이 도광판을 이용하여 외관 품질을 평가한 바, 액정 표시 장치의 화면의 긴 변 근방에 밝은 선과 어두운 띠가 나타나고, 외관 품질은 불량했다.
 실시예 1 내지 4 및 비교예 1의 결과를 표 1에 나타낸다.
 
표 1

 표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 금형의 캐비티의 2개의 긴 변에 인접하여 막대형상 히터를 매설하고, 금형의 캐비티의 긴 변 근방의 온도를 금형의 캐비티 중앙부의 최고 온도보다도 높게 유지한 실시예 1 내지 4의 도광판은 두께 편차와 원주형상의 돌기의 전사율의 편차가 작고, 액정 표시 장치의 화면에 밝은 선이나 어두운 띠 등이 없고, 양호한 성능을 갖고 있다. 특히, 지환식 구조를 갖는 수지를 사용한 실시예 1 내지 2의 도광판의 성능이 우수하다. 이에 대하여, 금형의 캐비티의 단부 변을 가열하지 않은 비교예 1의 도광판은 두께 편차와 원주형상의 돌기의 전사율의 편차가 크고, 액정 표시 장치의 화면에 밝은 선과 어두운 띠가 나타난다.

산업상 이용 가능성
 본 발명의 후물 평판 성형품은, 두께 편차가 적고, 평면성이 양호하여, 액정 표시 장치의 도광판으로서 사용함으로써, 화면에 밝은 선이나 어두운 띠 등이 없는 우수한 외관 품질을 얻을 수 있다. 본 발명의 방법에 의하면, 사출 성형용 금형의 캐비티의 단부 변을 가열하고, 단부 변의 온도를 캐비티의 중앙부의 온도보다 높게 함으로써, 두께 편차가 적고, 평면성이 양호한 후물 평판 성형품을 용이하게 제조할 수 있다.