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1. (KR1020180122600) 플라스마 처리 방법

官庁 : 大韓民国
出願番号: 1020187021993 出願日: 19.03.2018
公開番号: 1020180122600 公開日: 13.11.2018
公報種別: A
PCT 関連事項: 出願番号: ; 公開番号:WO2018180663 クリックしてデータを表示
IPC:
H01L 21/3065
H01L 21/304
H01L 21/311
H01L 21/3213
H05H 1/46
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3105
後処理
311
絶縁層のエッチング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205
絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
321
後処理
3213
層の物理的または化学的エッチング,例.プレデポジションした広い層からパターニング層を生ずるため
H 電気
05
他に分類されない電気技術
H
プラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1
プラズマの生成;プラズマの取扱い
24
プラズマの発生
46
電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
出願人: 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
発明者: 히로타 고사
스미야 마사히로
나카우네 고이치
다마리 나나코
이노우에 사토미
나카모토 시게루
代理人: 문두현
優先権情報: JP-P-2017-060353 27.03.2017 JP
発明の名称: (KO) 플라스마 처리 방법
要約: front page image
(KO) 본 발명의 목적은 반도체 기판 등의 웨이퍼를 플라스마 에칭하는 플라스마 처리 방법에 있어서, 웨이퍼의 에칭 처리에 의해 처리실 내에 퇴적하는 금속과 비금속의 복합 퇴적물을 제거하고, 퇴적물에 의한 이물의 발생을 저감할 수 있는 플라스마 처리 방법을 제공한다. 본 발명은 처리실 내에서 시료를 플라스마 에칭하여 상기 처리실 내를 플라스마 클리닝하는 플라스마 처리 방법에 있어서, 상기 시료를 소정 매수 플라스마 에칭하는 에칭 공정과, 상기 에칭 공정 후, 플라스마를 이용하여 금속 원소를 함유하는 퇴적막을 제거하는 금속 제거 공정과, 상기 금속 제거 공정의 플라스마와 상이한 플라스마를 이용하여 비금속 원소를 함유하는 퇴적막을 제거하는 비금속 제거 공정을 갖고, 상기 금속 제거 공정과 상기 비금속 제거 공정을 2회 이상 반복하는 것을 특징으로 한다.
また、:
WO/2018/180663