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1. (KR1020180087420) SiN층 및 Si층을 갖는 기판용 웨트에칭 조성물 및 이것을 이용한 웨트에칭방법

官庁 : 大韓民国
出願番号: 1020187020056 出願日: 22.09.2017
公開番号: 1020180087420 公開日: 01.08.2018
特許番号: 1019833510000 特許付与日: 28.05.2019
公報種別: B1
PCT 関連事項: 出願番号: ; 公開番号:WO2018123166 クリックしてデータを表示
IPC:
C09K 13/08
H01L 21/306
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K
他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
13
エッチング,表面つや出しまたは酸洗い(ピクリング)用組成物
04
無機酸を含有するもの
08
ふっ素化合物を含有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
CPC:
C09K 13/08
H01L 21/30604
出願人: 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드
発明者: 호리타, 아키노부
시마다, 켄지
타카하시, 켄이치
오이에, 토시유키
이토, 아야
代理人: 특허법인씨엔에스
優先権情報: JP-P-2016-250545 26.12.2016 JP
発明の名称: (KO) SiN층 및 Si층을 갖는 기판용 웨트에칭 조성물 및 이것을 이용한 웨트에칭방법
要約:
(KO) 본 발명은, 불소 화합물(A)을 0.1~50질량%, 산화제(B)를 0.04~10질량%, 및 물(D)을 함유하고, pH가 2.0~5.0의 범위에 있는 SiN층 및 Si층을 갖는 기판용 웨트에칭 조성물에 관한 것이다. 또한 본 발명은, 이 웨트에칭 조성물을 이용하는, SiN층 및 Si층을 갖는 반도체 기판의 웨트에칭방법에 관한 것이다. 본 발명의 조성물을 이용함으로써, 사용시에 발생하는 휘발성분에 의한 장치나 배기라인의 부식 및 대기오염, 더 나아가 조성물 중의 질소분에 의한 환경부하를 경감하면서, SiN층 및 Si층을 갖는 기판에 대하여, SiN에 대한 Si의 제거선택성을 높일 수 있다.
また、:
CN108513679EP3389083US20190040317WO/2018/123166