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1. (KR1020160122802) 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조방법 및 에피택셜 실리콘 웨이퍼

官庁 : 大韓民国
出願番号: 1020167025312 出願日: 19.12.2014
公開番号: 1020160122802 公開日: 24.10.2016
特許番号: 1019255150000 特許付与日: 06.12.2018
公報種別: B1
(国内移行後) 元 PCT 国際出願 出願番号: ; 公開番号:WO2015129133 クリックしてデータを表示
IPC:
H01L 21/02
C23C 16/24
C30B 25/20
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
24
けい素のみの析出
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25
反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02
エピタキシャル層成長
18
基板によって特徴づけられたもの
20
基板がエピタキシャル層と同一物質であるもの
出願人: 가부시키가이샤 사무코
가부시키가이샤 사무코
発明者: 토리고에 카즈히사
오노 토시아키
토리고에 카즈히사
오노 토시아키
代理人: 특허법인 남앤드남
특허법인 남앤남
優先権情報: JP-P-2014-035969 26.02.2014 JP
発明の名称: (KO) 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조방법 및 에피택셜 실리콘 웨이퍼
要約: front page image
(KO) 본 발명의 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조방법은, 붕소가 첨가되고, 그 저항률이 100 mΩ·㎝ 이하인 실리콘 웨이퍼 상에, 에피택셜막을 성장시키는 에피택셜막 형성 공정(단계 S2)과, 상기 에피택셜 실리콘 웨이퍼를 900℃ 미만의 온도로 열처리하는 열처리 공정(단계 S3)을 구비한다.
Also published as:
DE112014006413US20170011918CN106062926WO/2015/129133