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1. (KR1020160106700) 산화물 소결체, 스퍼터링용 타겟 및 그것을 이용하여 얻어지는 산화물 반도체 박막

官庁 : 大韓民国
出願番号: 1020167021624 出願日: 09.03.2015
公開番号: 1020160106700 公開日: 12.09.2016
特許番号: 1018614590000 特許付与日: 28.05.2018
公報種別: B1
(国内移行後) 元 PCT 国際出願 出願番号: ; 公開番号:WO2015137274 クリックしてデータを表示
IPC:
C04B 35/01
C04B 35/64
C23C 14/08
C23C 14/34
H01L 21/02
C 化学;冶金
04
セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B
石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
35
組成に特徴を持つ成形セラミック製品;セラミック組成;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理
01
酸化物を基とするもの
C 化学;冶金
04
セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B
石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
35
組成に特徴を持つ成形セラミック製品;セラミック組成;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理
622
製造方法;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理方法
64
焼成または焼結方法
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
08
酸化物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
CPC:
H01L 21/02565
C04B 35/01
C04B 35/62218
C04B 35/62695
C04B2235/3286
C04B2235/3852
C04B2235/5445
C04B2235/604
C04B2235/6562
C04B2235/6565
C04B2235/6583
C04B2235/6585
C04B2235/6586
C04B2235/72
C04B2235/722
C04B2235/76
C04B2235/762
C04B2235/77
C04B2235/80
C04B2235/81
C23C 14/086
C23C 14/3407
C23C 14/3414
H01J 37/3426
H01L 21/02422
H01L 21/02631
H01L 21/02667
H01L 27/1225
H01L 29/221
H01L 29/78693
出願人: 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
発明者: 나카야마 도쿠유키
나카야마 도쿠유키
니시무라 에이이치로
니시무라 에이이치로
이와라 마사시
이와라 마사시
代理人: 김진회
김진회
김태홍
김태홍
優先権情報: JP-P-2014-052461 14.03.2014 JP
発明の名称: (KO) 산화물 소결체, 스퍼터링용 타겟 및 그것을 이용하여 얻어지는 산화물 반도체 박막
要約:
(KO) 본 발명은, 스퍼터링법에 의해 산화물 반도체 박막으로 한 경우에, 낮은 캐리어 농도, 높은 캐리어 이동도가 얻어지는 산화물 소결체 및 그것을 이용한 스퍼터링용 타겟을 제공한다. 이 산화물 소결체는, 인듐 및 갈륨을 산화물로서 함유하고, 질소를 함유하며, 아연을 함유하지 않는다. 갈륨의 함유량이 Ga/(In + Ga) 원자수비로 0.005 이상 0.20 미만이고, GaN상을 실질적으로 포함하지 않는다. 또한, GaO상을 갖지 않는 것이 바람직하다. 이 산화물 소결체를 스퍼터링용 타겟으로 하여 형성한 결정질의 산화물 반도체 박막은, 캐리어 농도 1.0×10 ㎝ 이하, 캐리어 이동도 10 ㎝Vsec 이상이 얻어진다. 2 3 18 -3 2 -1 -1
Also published as:
CN106103379US20170077243JPWO2015137274WO/2015/137274