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1. KR1020120103683 - 애피택셜성장용 탬플릿 및 제작방법

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官庁 大韓民国
出願番号 1020127017503
出願日 25.12.2009
公開番号 1020120103683
公開日 19.09.2012
公報種別 A
IPC
C30B 23/02
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
23蒸発または昇華した物質の凝固による単結晶成長
02エピタキシャル層成長
C30B 29/38
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
38窒化物
H01L 21/205
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H01L 33/32
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02半導体素子本体に特徴のあるもの
26発光領域の材料
30III族およびV族元素のみを有するもの
32窒素を含むもの
CPC
C30B 25/183
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
18characterised by the substrate
183being provided with a buffer layer, e.g. a lattice matching layer
C30B 25/186
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
18characterised by the substrate
186being specially pre-treated by, e.g. chemical or physical means
C30B 29/403
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
403AIII-nitrides
C30B 29/406
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
403AIII-nitrides
406Gallium nitride
H01L 21/0242
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
0242Crystalline insulating materials
H01L 21/0243
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
02428Structure
0243Surface structure
出願人 소코 가가쿠 가부시키가이샤
発明者 아마노 히로시
가미야마 사토시
김 명희
페르노 시릴
히라노 아키라
代理人 특허법인코리아나
発明の名称
(KO) 애피택셜성장용 탬플릿 및 제작방법
要約
(KO)
사파이어 (0001) 기판의 표면을 볼록부의 상부가 일정의 크기를 갖는 평탄면이 되도록 오목볼록한 형태로 가공하고, 오목볼록한 형태로 가공된 사파이어 (0001) 기판면에 볼록부상부의 가장자리부분을 제외한 평탄면위에 C+축배향이 이루어진 AlN층이 성장할 수 있도록 C축배향제어을 행하고, 오목볼록한 형태의 가공으로 형성된 트랜치부를 완전히 충진시키지 않음과 동시에 트랜치부의 상부를 패쇄시키지 않는 상태로 박막의 초기AlN층을 성장시키며, 초기AlN층위에 횡방향성장법을 이용해서 AlGaN (0001) 층 (1=x>0, x+y=1) 을 애피택셜 성장시킴에 의해서 오목부의 상부를 볼록부의 상부로부터 횡방향성장법에 의해서 성장된 AlGaN (0001) 층으로 피복하여, 평면이 치밀하고 평탄하며 낮은 관통전위밀도를 갖는 애피택셜성장용 태플릿을 제작한다. x y x y

他の公開
EP2518191
JPWO2011077541
KR1020140039071
US20120258286
US20160319459
WO/2011/077541
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