(KO) 사파이어 (0001) 기판의 표면을 볼록부의 상부가 일정의 크기를 갖는 평탄면이 되도록 오목볼록한 형태로 가공하고, 오목볼록한 형태로 가공된 사파이어 (0001) 기판면에 볼록부상부의 가장자리부분을 제외한 평탄면위에 C+축배향이 이루어진 AlN층이 성장할 수 있도록 C축배향제어을 행하고, 오목볼록한 형태의 가공으로 형성된 트랜치부를 완전히 충진시키지 않음과 동시에 트랜치부의 상부를 패쇄시키지 않는 상태로 박막의 초기AlN층을 성장시키며, 초기AlN층위에 횡방향성장법을 이용해서 AlGaN (0001) 층 (1=x>0, x+y=1) 을 애피택셜 성장시킴에 의해서 오목부의 상부를 볼록부의 상부로부터 횡방향성장법에 의해서 성장된 AlGaN (0001) 층으로 피복하여, 평면이 치밀하고 평탄하며 낮은 관통전위밀도를 갖는 애피택셜성장용 태플릿을 제작한다.
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