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1. KR1020120034126 - 기화기

官庁 大韓民国
出願番号 1020127005111
出願日 27.09.2004
公開番号 1020120034126
公開日 09.04.2012
公報種別 A
IPC
H01L 21/205
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
CPC
C23C 16/4481
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
448characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
4481by evaporation using carrier gas in contact with the source material
出願人 도다 마사유키
가부시키가이샤 와타나베 쇼코
発明者 도다 마사유키
구스하라 마사키
代理人 특허법인코리아나
優先権情報 2003335605 26.09.2003 JP
発明の名称
(KO) 기화기
要約
(KO)
반응관의 경로를 길게 확보할 수 있는데다가, 그 내부를 통과할 때 발생하는 원심력에 의해 원료 용액을 분산한 캐리어 가스가 통과방향과 교차하는 방향으로 교반됨으로써 빈틈없이 히터로부터의 복사열에 의한 기화를 촉진할 수 있는 기화기를 제공한다. 나선상의 반응관 (103) 에 액체 또는 분체로 이루어지는 원료 용액을 분산한 캐리어 가스가 상류측으로부터 공급되고, 반응관 (103) 내를 통과하는 원료 용액을 분산한 캐리어 가스가 히터 (104) 의 복사열에 의해 기화된다.