(EN) Provided is a plasma film forming apparatus which can reduce particles even in the case of forming a film by applying bias power to a substrate. In the plasma film forming apparatus, bias power is applied to a wafer (5) placed on a supporting table (4) in a chamber and a thin film is formed on the wafer (5) by using plasma. The supporting table (4) is provided with a columnar supporting table main body (4b) whose outer diameter (C) of a contact surface (4a) with the wafer (5) is smaller than the outer diameter (W) of the wafer (5). The supporting table (4) is also provided with a flange section (4c) which extends in the outer circumference direction from a side surface (4d) of the supporting table main body (4b). A prescribed gap (G1) is formed between the flange (4c) and the rear surface of the outer circumference of the wafer (5). COPYRIGHT KIPO WIPO 2010
(KO) 기판에 바이어스 전력을 인가함으로써 성막하는 경우에도 파티클을 저감할 수 있는 플라즈마 성막 장치가 제공된다. 이 플라즈마 성막 장치에서는, 챔버 내의 지지대 (4) 상에 배치되는 웨이퍼 (5) 에 바이어스 전력이 인가되고, 웨이퍼 (5) 상에 플라즈마를 이용함으로써 박막이 형성된다. 지지대 (4) 에는 웨이퍼 (5) 와의 접촉면 (4a) 의 외경 (C) 이 웨이퍼 (5) 의 외경 (W) 보다 작은 원주상 지지대 본체 (4b) 가 제공된다. 지지대 (4) 에는 또한 지지대 본체 (4b) 의 측면 (4d) 으로부터 외주 방향으로 연장하는 플랜지부 (4c) 가 제공된다. 플랜지부 (4c) 와 웨이퍼 (5) 외주의 이면 사이에는 소정의 간극 (G1) 이 형성된다.