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1. KR1020100063781 - HIGH-FREQUENCY SPUTTERING DEVICE

官庁 大韓民国
出願番号 1020107007282
出願日 29.08.2008
公開番号 1020100063781
公開日 11.06.2010
特許番号 1012294730000
特許付与日 05.02.2013
公報種別 B1
IPC
H01L 21/203
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
203物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング
C23C 14/34
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
出願人 CANON ANELVA CORPORATION
캐논 아네르바 가부시키가이샤
発明者 NAGAMINE YOSHINORI
나가미네 요시노리
NAKAMURA KANTO
나카무라 칸토
TSUNEKAWA KOJI
츠네카와 코지
代理人 김용인
박영복
優先権情報 2008215386 25.08.2008 JP
PCT/JP2007/069459 04.10.2007 WO
発明の名称
(EN) HIGH-FREQUENCY SPUTTERING DEVICE
(KO) 고주파 스퍼터링 장치
要約
(EN)
Provided is a high-quality magnetoresistive thin film by using a method for controlling self bias of a high-frequency sputtering device. A substrate potential is adjusted so as to control the self bias for the substrate. The high-frequency sputtering device includes a chamber, air exhaust means for discharging air from the chamber, gas introduction means for supplying a gas into the chamber, a substrate holder having a table on which the substrate is mounted, rotation drive means which can rotate the substrate holder, a sputtering cathode characterized in that the surface of the substrate mounting table is not parallel to the surface of the target mounting table, an electrode arranged inside the substrate holder, and a variable impedance mechanism electrically connected to the electrode for adjusting the substrate potential on the substrate holder. COPYRIGHT KIPO WIPO 2010

(KO)
고주파 스퍼터링 장치의 자기 바이어스를 제어하기 위한 방법을 사용하여 고 품질의 자기저항 박막을 제공한다. 기판 전위는 기판에 대한 자기 바이어스를 제어하도록 조절된다. 고주파 스퍼터링 장치는 챔버, 챔버로부터 공기를 비우기 위한 배기 수단, 챔버로 가스를 공급하기 위한 가스 도입 수단, 기판 재치대를 구비한 기판 홀더, 기판 홀더를 회전할 수 있는 회전 구동 수단, 고주파 전력이 인가됨으로써 절연체 타겟을 스퍼터링 하기 위한 타겟 재치대를 구비하고, 타겟 재치대의 표면이 기판 재치대의 표면에 평행하지 않도록 배열되어 있는 스퍼터링 캐소드, 기판 홀더 내에 배치된 전극, 및 기판 전위를 조절하기 위한, 전극에 전기 연결되어 있는 가변 임피던스 기구를 포함한다.