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1. (JPWO2011132769) 半導体装置およびそれを用いたRFIDタグならびに表示装置

官庁 : 日本
出願番号: 2012511715 出願日: 22.04.2011
公開番号: WO2011132769 公開日: 27.10.2011
公報種別: A1
IPC:
H01L 29/786
G06K 19/07
G06K 19/077
G02F 1/1368
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
G 物理学
06
計算;計数
K
データの認識;データの表示;記録担体;記録担体の取扱い
19
少なくともその一部にデジタルマークが記録されるように設計され,かつ機械で使用される記録担体
06
デジタル記録マークの種類,例.形状,性質,コード,によって特徴づけられるもの
067
導電性マーク,印刷回路または半導体回路素子をもつ記録担体,例.クレジットカードまたは身分証明書
07
集積回路チップをもつもの
G 物理学
06
計算;計数
K
データの認識;データの表示;記録担体;記録担体の取扱い
19
少なくともその一部にデジタルマークが記録されるように設計され,かつ機械で使用される記録担体
06
デジタル記録マークの種類,例.形状,性質,コード,によって特徴づけられるもの
067
導電性マーク,印刷回路または半導体回路素子をもつ記録担体,例.クレジットカードまたは身分証明書
07
集積回路チップをもつもの
077
構造上の細部,例.担体内への回路の取付け
G 物理学
02
光学
F
光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1
独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01
強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13
液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
133
構造配置;液晶セルの作動;回路配置
136
半導体の層または基板と構造上組み合された液晶セル,例.集積回路の一部を構成するセル
1362
アクティブマトリックスセル
1368
スイッチング素子が三端子の素子であるもの
出願人: 株式会社日立製作所
発明者: 若菜 裕紀
河村 哲史
内山 博幸
藤井 邦治
代理人: 筒井 大和
優先権情報: 2010099560 23.04.2010 JP
発明の名称: (JA) 半導体装置およびそれを用いたRFIDタグならびに表示装置
要約: front page image
(JA)

薄膜トランジスタのチャネルを構成する酸化物半導体層(13)は、少なくともInと酸素とを含み、さらにZn、Cd、Al、Ga、Si、Sn、Ce、Geのうち、いずれか一種以上の元素を含む。酸化物半導体層(13)の一部には、酸化物半導体層(13)の他の領域に比べてInの濃度が30原子%以上高い極大値を持つ高濃度領域(13d)が設けられている。酸化物半導体層(13)の膜厚は100nm以下であり、高濃度領域(13d)の膜厚は20nm以下、より好ましくは6nm以下である。これにより、100mV/decade以下のサブスレッショルド係数と、高いオン電流および電界効果移動度とを備えた薄膜トランジスタを実現することができる。


また、:
US20130099229WO/2011/132769