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1. (JPWO2011125570) 転写用ドナー基板、デバイスの製造方法および有機EL素子

官庁 : 日本
出願番号: 2011514939 出願日: 28.03.2011
公開番号: WO2011125570 公開日: 13.10.2011
特許番号: 5013020 特許付与日: 15.06.2012
公報種別: B2
IPC:
H01L 51/50
H05B 33/10
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50
光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
10
エレクトロルミネッセンス光源の製造に特に適用する装置または方法
出願人: 東レ株式会社
発明者: 谷村 寧昭
藤森 茂雄
西村 誠一郎
優先権情報: 2010080697 31.03.2010 JP
発明の名称: (JA) 転写用ドナー基板、デバイスの製造方法および有機EL素子
要約:
(JA)

転写法を利用する場合にも高性能な有機EL素子を作製できるドナー基板を提供し、また不純物の少ない高性能な有機EL素子をはじめとするデバイスを提供することを目的とする。


また、:
EP2555594CN102845134KR1020120112585WO/2011/125570