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1. (JP4555302) 半導体製造装置、半導体装置の製造方法、及び検出方法

官庁 : 日本
出願番号: 2006539280T 出願日: 03.10.2005
公開番号: 4555302 公開日: 29.09.2010
特許番号: 4555302 特許付与日: 29.09.2010
公報種別: B2
PCT 関連事項: 出願番号:WOJP2005018283 ; 公開番号:WO2006038584 クリックしてデータを表示
IPC:
H01L 21/68
H01L 21/22
H01L 21/31
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
68
位置決め,方向決め,または整列のためのもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
22
半導体本体へのまたは半導体本体からのまたは半導体領域間の不純物材料,例.ドーピング材料,電極材料,の拡散;不純物材料の再分布,例.さらなるドーパントの導入または除去をしないもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
CPC:
H01L 21/67265
H01L 21/67109
Y10T 29/41
出願人: 株式会社日立国際電気; 東京都千代田区外神田四丁目14番1号
発明者: 平野 誠
山岸 紀睦
吉田 明弘
優先権情報: 2004293244 06.10.2004 JP
JP2005018283 03.10.2005 WO
発明の名称: (JA) 半導体製造装置、半導体装置の製造方法、及び検出方法
要約:
また、:
JPWO2006038584US20080127467WO/2006/038584