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1. JPWO2020240645 - 光半導体装置

官庁
日本
出願番号 2021521578
出願日 27.05.2019
公開番号 WO2020240645
公開日 03.12.2020
公報種別 A1
IPC
H01S 5/026
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
02レーザ作用にとって本質的ではない構造的な細部または構成
026モノリシックに集積された複数の構成,例.導波管,モニター用フォトデテクターまたは駆動素子
CPC
H01S 5/026
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
026Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
H01S 5/0264
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
026Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
0262Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
0264for monitoring the laser-output
H01S 5/0265
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
026Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
0265Intensity modulators
H01S 5/0683
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
068Stabilisation of laser output parameters
0683by monitoring the optical output parameters
H01S 5/1085
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
1082with a special facet structure, e.g. structured, non planar, oblique
1085Oblique facets
H01S 5/101
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
1003Waveguide having a modified shape along the axis, e.g. branched, curved, tapered, voids
101Curved waveguide
出願人 三菱電機株式会社
発明者 永尾 龍介
奥貫 雄一郎
松本 啓資
代理人 特許業務法人ぱるも特許事務所
発明の名称
(JA) 光半導体装置
要約
(JA)

光半導体装置(1)は、前端側から第一の光を出力すると共に前端側と反対側で後端側から第二の光を出力する複数の半導体レーザ(2)と、複数の半導体レーザ(2)から出力された第一の光を合波して出力光(7)を出力する光合波回路(4)と、第二の光のそれぞれを当該光半導体装置(1)の一端面(12)側へ導波する複数の導波路(8)と、導波路(8)を導波した第二の光のそれぞれが一端面(12)又は一端面(12)に形成された複数の凹部(14)の傾斜端面(35)にて反射した反射光(11)のそれぞれを受光する複数の光検出器(9)と、を備えている。光検出器(9)は、半導体レーザ(2)の後端側と一端面(12)又は傾斜端面(35)との間に配置されており、導波路(8)から出力される第二の光は一端面(12)又は傾斜端面(35)の垂線に対して斜めに出力される。