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1. JP2021009900 - 基板処理装置および基板処理方法

官庁
日本
出願番号 2019122134
出願日 28.06.2019
公開番号 2021009900
公開日 28.01.2021
公報種別 A
IPC
H01L 21/304
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H01L 21/027
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
H01L 21/306
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
CPC
H01L 21/306
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
H01L 21/027
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
出願人 SCREEN HOLDINGS CO LTD
株式会社SCREENホールディングス
発明者 NAKAI HITOSHI
中井 仁司
代理人 特許業務法人あい特許事務所
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(JA) 基板処理装置および基板処理方法
要約
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can perform processing using a chemical solution on an upper surface of a substrate under low oxygen environment even when a central part of the substrate is supported instead of a peripheral part of the substrate.

SOLUTION: An inner peripheral end 74a of a first guard tip 86 faces a peripheral end surface Wc of a substrate W in a horizontal direction by being separated by a first annular gap C1. An inner peripheral end 75a of a second guard tip 88 faces an outer peripheral end 28c of a disk section 28 in the horizontal direction by being separated by a second annular gap C2. A blocking member 6 is above the substrate W, and a substrate opposite surface 26a faces a surface Wa of the substrate W while keeping a predetermined gap WU. A sum (L1+L2) of a distance L1 of the first annular gap C1 and a distance L2 of the second annular gap C2 is more than or equal to flow channel width WF in an exhaust path EP, and is less than or equal to the gap WU between the substrate opposite surface 26a and the surface Wa of the substrate W (WF≤(L1+L2)≤WU).

SELECTED DRAWING: Figure 4B

COPYRIGHT: (C)2021,JPO&INPIT


(JA)

【課題】基板の外周部ではなく基板の中央部を支持する場合であっても、低酸素環境下で、薬液を用いた処理を基板の上面に施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Wの周端面Wcに、第1のガード先端部86の内周端74aが水平方向に第1の環状隙間C1を隔てて対向する。また、円板部28の外周端28cに、第2のガード先端部88の内周端75aが水平方向に第2の環状隙間C2を隔てて対向する。基板Wの上方に、遮断部材6が、基板対向面26aと基板Wの表面Waとが、所定の間隔WUを保ちながら対向する。第1の環状隙間C1の距離L1と、第2の環状隙間C2の距離L2と、の合計(L1+L2)は、排気経路EPにおける流路幅WF以上であり、基板対向面26aと基板Wの表面Waとの間隔WU以下である(WF≦(L1+L2)≦WU))。
【選択図】図4B


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