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1. JP2020092222 - 薄膜トランジスタ及びその製造方法

官庁 日本
出願番号 2018229754
出願日 07.12.2018
公開番号 2020092222
公開日 11.06.2020
公報種別 A
IPC
H01L 29/786
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
H01L 21/336
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
出願人 日新電機株式会社
発明者 松尾 大輔
安東 靖典
代理人 西村 竜平
齊藤 真大
上村 喜永
中村 惇志
発明の名称
(JA) 薄膜トランジスタ及びその製造方法
要約
(JA)

【課題】酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタを生産性良く製造する。
【解決手段】基板2上に、ゲート電極3と、ゲート絶縁層4と、酸化物半導体層5と、ソース電極6及びドレイン電極7とがこの順に配置された薄膜トランジスタ1であって、酸化物半導体層は、互いに同一の構成元素を含む酸化物半導体膜から成る第1半導体層5aと第2半導体層5bとを基板側から順に備えている。第2半導体層を構成する酸化物半導体膜の結晶性は、第1半導体層を構成する前記酸化物半導体膜の結晶性よりも高い。
【選択図】図1

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