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1. JP6702514 - 酸化膜形成装置

官庁 日本
出願番号 2019551404
出願日 05.09.2019
公開番号 6702514
公開日 11.05.2020
特許番号 6702514
特許付与日 11.05.2020
公報種別 B1
IPC
H01L 21/31
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
C23C 16/40
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
40酸化物
C23C 16/42
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
42けい化物
C23C 16/455
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
455ガスを反応室に導入するため,または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの
出願人 株式会社明電舎
発明者 亀田 直人
三浦 敏徳
花倉 満
代理人 小林 博通
富岡 潔
鵜澤 英久
太田 友幸
優先権情報 2018225083 30.11.2018 JP
発明の名称
(JA) 酸化膜形成装置
要約
(JA)

被成膜基体(8)が配置される炉筐体(6a)と炉蓋(6b)を備える酸化膜形成装置(1)である。炉蓋(6b)の内側に、遮蔽板(12)を介して混合ガス拡散部(6c)を設ける。混合ガス拡散部(6c)に混合ガスバッファ空間(21)を形成する。混合ガス拡散部(6c)にシャワーヘッド板(13)を設ける。炉蓋(6b)にオゾンガスバッファ空間(17)を形成し、オゾンガスバッファ空間(17)にガス流拡散板(20)を備える。シャワーヘッド板(13)に、オゾンガスが通過する孔(13a)と、混合ガスが通過する孔(13b)を形成する。孔(13a、13b)をそれぞれ矩形格子状に配置する。隣り合う孔13a(および隣り合う孔13b)の距離は1mm以上、100mm以下であり、孔(13a、13b)の穴径は0.1mm以上、10mm以下である。

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