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1. JP2020088312 - 基板処理装置、および基板処理方法

官庁 日本
出願番号 2018224702
出願日 30.11.2018
公開番号 2020088312
公開日 04.06.2020
公報種別 A
IPC
H01L 21/306
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
H01L 21/02
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
H01L 21/304
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人 株式会社SCREENホールディングス
発明者 松井 浩彬
木村 隆一
杉岡 真治
代理人 吉竹 英俊
有田 貴弘
発明の名称
(JA) 基板処理装置、および基板処理方法
要約
(JA)

【課題】基板処理装置で基板に施す処理のカスタマイズを容易に行う。
【解決手段】基板処理装置は、2つ以上の薬液処理部と記憶部と制御部とを備える。各薬液処理部は、処理槽と液供給部とを含む。処理槽は、処理液で基板に処理を施す。液供給部は、処理槽に処理液を供給する。記憶部は、各薬液処理部について基板の単位処理量当たりの処理液の供給量に係る数値情報を記憶する。制御部は、取得部と認識部と算出部と供給制御部とを有する。算出部は、数値情報のうちの認識部で認識された1つの薬液処理部に対応する基板の単位処理量当たりの処理液の供給量に係る数値と、取得部で取得された処理量情報と、に基づき、1つの薬液処理部の処理槽に供給する処理液の供給量に係る数値を算出する。供給制御部は、算出部で算出された数値に応じて、液供給部で処理液を処理槽に供給させる。
【選択図】図4

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