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1. JPWO2020250445 - 電力変換装置、半導体チップの寿命診断装置、及び半導体チップの寿命診断方法

官庁
日本
出願番号 2019567383
出願日 14.06.2019
公開番号 WO2020250445
公開日 06.02.2020
特許番号 6656501
特許付与日 06.02.2020
公報種別 B1
IPC
H02M 7/48
H電気
02電力の発電,変換,配電
M交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
7交流入力一直流出力変換;直流入力―交流出力変換
42直流入力―交流出力変換であって非可逆的なもの
44静止型変換器によるもの
48制御電極をもつ放電管または制御電極をもつ半導体装置を用いるもの
CPC
H02M 7/48
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
7Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
42Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
44by static converters
48using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
出願人 三菱電機株式会社
発明者 奥村 紀彦
代理人 高村 順
発明の名称
(JA) 電力変換装置、半導体チップの寿命診断装置、及び半導体チップの寿命診断方法
要約
(JA)

電力変換装置(1)は、はんだ付けにより構成部材に実装される半導体チップを複数個備え、複数個の半導体チップのうちの第1の半導体チップ(IGBT(P))と、第2の半導体チップ(IGBT(P))とが電気的に互いに直列に接続された直列回路部を少なくとも1つ含むブリッジ回路の動作を制御する。電力変換装置(1)は、第1及び第2の半導体チップ(IGBT(P),IGBT(N))が実機に搭載された状態で第1及び第2の半導体チップ(IGBT(P),IGBT(N))の電気的特性を測定し、測定した電気的特性に基づいて構成部材を含む放熱構造の熱抵抗を算出する。電力変換装置(1)は、算出した熱抵抗を初期値と比較することにより、第1及び第2の半導体チップ(IGBT(P),IGBT(N))の劣化による異常又は寿命を診断する。


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