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1. JP2020098848 - 半導体素子接合部材

官庁 日本
出願番号 2018236065
出願日 18.12.2018
公開番号 2020098848
公開日 26.04.2019
特許番号 6516277
特許付与日 26.04.2019
公報種別 B1
IPC
H01L 21/52
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50サブグループH01L21/06~H01L21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
52容器中への半導体本体のマウント
CPC
B23K 35/30
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
35Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
22characterised by the composition or nature of the material
24Selection of soldering or welding materials proper
30with the principal constituent melting at less than 1550 degrees C
C22C 5/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
CALLOYS
5Alloys based on noble metals
02Alloys based on gold
C22C 5/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
CALLOYS
5Alloys based on noble metals
06Alloys based on silver
C22C 9/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
CALLOYS
9Alloys based on copper
02with tin as the next major constituent
H01L 2224/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
32of an individual layer connector
H01L 21/52
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, ; e.g. sealing of a cap to a base of a container
52Mounting semiconductor bodies in containers
出願人 株式会社半導体熱研究所
発明者 福井 彰
福井 としゑ
代理人 特許業務法人京都国際特許事務所
発明の名称
(JA) 半導体素子接合部材
要約
(JA)

【課題】最高動作温度が300℃に達する半導体デバイスと、該半導体デバイスが載置される電極基板等と接合するために使用可能な半導体素子接合部材を提供する。
【解決手段】半導体素子11と該半導体素子11が載置される基板12を接合する半導体素子接合部材であって、Ag、Cu、及びAuのうちの少なくとも1種類とSnとを主成分とし、融点が500℃以上である合金102からなり、内部に、総体積が全体の5パーセント以上40パーセント以下である複数の空隙101を有し、-40℃への冷却と300℃への加熱を300回繰り返すヒートサイクルテストを行った後の熱伝導率が120W/m・K以上、電気伝導率が50%IACS以上である半導体素子接合部材10。
【選択図】図1

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