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1. JP2016189498 - 基板加工方法及び基板加工装置

官庁
日本
出願番号 2016157819
出願日 10.08.2016
公開番号 2016189498
公開日 04.11.2016
特許番号 6202694
特許付与日 08.09.2017
公報種別 B2
IPC
H01L 21/304
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B23K 26/064
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
02加工物の位置決めまたは観察,例.照射点に関するもの;レーザービームの軸合せ,照準または焦点合せ
06レーザービームの成形,例.マスクまたは多焦点合せによるもの
064光学素子によるもの,例.レンズ,鏡またはプリズム
B23K 26/53
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
50レーザービームに対して透明である加工物の加工
53加工物の内部に改質または変質部を形成するためのもの,例.破断の起点となる亀裂の形成
出願人 SAITAMA UNIV
国立大学法人埼玉大学
SHIN ETSU POLYMER CO LTD
信越ポリマー株式会社
発明者 IKENO JUNICHI
池野 順一
SUZUKI HIDEKI
鈴木 秀樹
MATSUO RIKA
松尾 利香
代理人 三好 秀和
高橋 俊一
伊藤 正和
高松 俊雄
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
(JA) 基板加工方法及び基板加工装置
要約
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin silicon substrate at sufficient yield.

SOLUTION: A substrate processing apparatus comprises a laser source 150, a laser focusing part 160 for irradiating laser beams 190 from the laser source 150 toward a surface 101 of a substrate 10 to focus the laser beams inside the substrate 10, and positioning means for arranging the laser focusing part 160 on the substrate 10 in a non-contact manner, in which the laser focusing part 160 and the substrate 10 are moved relatively to form a modified layer 14 inside the substrate 10. The laser focusing part 160 is composed to focus the laser beams 190 in an axial symmetry manner with respect to an optical axis and cause the laser beams incident on an outer peripheral part of the laser focusing part 160 to be focused by the laser focusing part 160 further than the laser beams incident on an inner peripheral part of the laser focusing part 160 inside the substrate 10 thereby to reduce a thickness of the modified layer 14.

SELECTED DRAWING: Figure 4

COPYRIGHT: (C)2017,JPO&INPIT

(JA)

【課題】薄いシリコン基板を製品率を確保して提供する。
【解決手段】レーザ光源150と、レーザ光源150からのレーザ光190を基板10の表面101に向けて照射し、基板10内部にレーザ光を集光するレーザ集光部160と、レーザ集光部160を基板10上に非接触に配置する位置決め手段とを有し、レーザ集光部160と基板10を相対的に移動させて、基板10内部に改質層14を形成するものであって、レーザ集光部160は、レーザ光190を光軸に軸対称に集光するとともに、基板10内部において、レーザ集光部160の外周部に入射した光が、レーザ集光部160の内周部に入射した光より、レーザ集光部160で集光するようにし、改質層14の厚さを小さくするように構成されている。
【選択図】図4