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1. JP2016167635 - 電力用半導体モジュール

官庁 日本
出願番号 2016114054
出願日 08.06.2016
公開番号 2016167635
公開日 15.09.2016
特許番号 6230660
特許付与日 27.10.2017
公報種別 B2
IPC
H01L 25/07
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03すべての装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04個別の容器を持たない装置
07装置がグループH01L29/00に分類された型からなるもの
H01L 25/18
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
H02M 1/08
H電気
02電力の発電,変換,配電
M交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
1変換装置の細部
08静止型変換器に用いられる半導体装置の制御電圧の発生に用いられる回路
CPC
H01L 23/3121
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
31characterised by the arrangement ; or shape
3107the device being completely enclosed
3121a substrate forming part of the encapsulation
H01L 23/3135
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
31characterised by the arrangement ; or shape
3107the device being completely enclosed
3135Double encapsulation or coating and encapsulation
H01L 23/36
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
H01L 23/3735
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
373Cooling facilitated by selection of materials for the device ; or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
3735Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
H01L 25/072
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
07the devices being of a type provided for in group H01L29/00
072the devices being arranged next to each other
H01L 25/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
18the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L51/00
出願人 MITSUBISHI ELECTRIC CORP
三菱電機株式会社
発明者 MIKI TAKAYOSHI
三木 隆義
NAKAYAMA YASUSHI
中山 靖
OI TAKESHI
大井 健史
TADA KAZUHIRO
多田 和弘
IDAKA SHIORI
井高 志織
HASEGAWA SHIGERU
長谷川 滋
KOBAYASHI TOMOHIRO
小林 知宏
NAKAJIMA YUKIO
中嶋 幸夫
代理人 大岩 増雄
竹中 岑生
村上 啓吾
吉澤 憲治
優先権情報 2011153020 11.07.2011 JP
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR MODULE FOR ELECTRIC POWER
(JA) 電力用半導体モジュール
要約
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor module for electric power having an Si semiconductor element and a wide bandgap semiconductor element disposed in an identical semiconductor module for electric power capable of suppressing temperature rise on the wide bandgap semiconductor element while preventing increase of chip total area of the wide bandgap semiconductor element at a low cost.

SOLUTION: The semiconductor module for electric power includes: an Si semiconductor element; and a wide bandgap semiconductor element. The Si semiconductor element is disposed in a central area of the semiconductor module for electric power. The wide bandgap semiconductor element is disposed in a peripheral area enclosing the central area of the semiconductor module for electric power.

SELECTED DRAWING: Figure 2

COPYRIGHT: (C)2016,JPO&INPIT

(JA)

【課題】Si半導体素子とワイドバンドギャップ半導体素子とを同一の電力用半導体モジュール内に配置する場合、ワイドバンドギャップ半導体素子の温度上昇を低く抑え、ワイドバンドギャップ半導体素子のチップ総面積の増大を抑え、低コストで製造できる電力用半導体モジュールを得る。
【解決手段】Si半導体素子と、ワイドバンドギャップ半導体素子とを備え、Si半導体素子が電力用半導体モジュールの中央領域に配置され、ワイドバンドギャップ半導体素子が電力用半導体モジュールの中央領域を囲む周辺部に配置される。
【選択図】図2