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1. JP2015002328 - 基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法

官庁
日本
出願番号 2013127661
出願日 18.06.2013
公開番号 2015002328
公開日 05.01.2015
特許番号 6143572
特許付与日 19.05.2017
公報種別 B2
IPC
H01L 21/683
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683支持または把持のためのもの
H01L 21/027
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
H01L 21/304
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H01L 21/306
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
CPC
B08B 3/02
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
08CLEANING
BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
3Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
02Cleaning by the force of jets or sprays
B08B 3/10
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
08CLEANING
BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
3Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
04Cleaning involving contact with liquid
10with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity, by vibration
H01L 21/02052
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02041Cleaning
02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
02052Wet cleaning only
H01L 21/67023
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
67023for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
H01L 21/67046
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
67028for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
6704for wet cleaning or washing
67046using mainly scrubbing means, e.g. brushes
H01L 21/67051
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
67028for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
6704for wet cleaning or washing
67051using mainly spraying means, e.g. nozzles
出願人 SCREEN HOLDINGS CO LTD
株式会社SCREENホールディングス
発明者 KATO HIROSHI
加藤 洋
代理人 稲岡 耕作
川崎 実夫
安田 昌秀
発明の名称
(EN) SUBSTRATE HOLDING ROTARY DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS INCLUDING THE SAME, AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(JA) 基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法
要約
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To protect a lower surface of a substrate without depending on a rotation speed of the substrate, have a simple structure, and inhibit the occurrence of particles due to frictional contact.

SOLUTION: A substrate processing apparatus 1 includes: a rotary base 7; a rotation drive mechanism 3; a holding pin 10 provided at the rotary base 7; a protection disk 15 for covering a lower surface of a substrate W; and a magnetic levitation mechanism 41 levitating the protection disk 15 from the rotary base 7. The protection disk 15 may vertically move between a lower position and a close position which is located close to the lower surface of the substrate W at a position higher than the lower position. The magnetic levitation mechanism 41 includes: a protection disk side permanent magnet 60; and an annular guard side permanent magnet 25 held by a splash guard 4. When the splash guard 4 is moved up by a guard driving mechanism 5, the protection disk 15 is levitated from the rotary base 7 and is held at the close position by a magnetic repulsive force between the permanent magnets 25, 60.

COPYRIGHT: (C)2015,JPO&INPIT


(JA)

【課題】基板の回転速度に依らずに基板の下面を保護することができ、構成が簡単であり、しかも摩擦接触に起因するパーティクルの発生を抑制する。
【解決手段】基板処理装置1は、回転台7と、回転駆動機構3と、回転台7に設けられた保持ピン10と、基板Wの下面を覆うための保護ディスク15と、保護ディスク15を回転台7から浮上させる磁気浮上機構41とを含む。保護ディスク15は、下位置と、下位置よりも上方において基板Wの下面に接近した接近位置との間で上下動可能である。磁気浮上機構41は、保護ディスク側永久磁石60と、スプラッシュガード4に保持された環状のガード側永久磁石25とを含む。ガード駆動機構5によってスプラッシュガード4を上昇させると、永久磁石25,60の間の磁気反発力によって、保護ディスク15を回転台7から浮上させて接近位置に保持できる。
【選択図】図1