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1. JP2014236078 - 半導体装置

官庁
日本
出願番号 2013115920
出願日 31.05.2013
公開番号 2014236078
公開日 15.12.2014
公報種別 A
IPC
H01L 21/8242
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
8239メモリ構造
8242ダイナミックランダムアクセスメモリ構造(DRAM)
H01L 21/336
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 27/108
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
10複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105電界効果構成部品を含むもの
108ダイナミックランダムアクセスメモリ構造
H01L 29/78
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
CPC
H01L 27/10814
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
108Dynamic random access memory structures
10805with one-transistor one-capacitor memory cells
10808the storage electrode stacked over transistor
10814with capacitor higher than bit line level
H01L 27/0207
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
0203Particular design considerations for integrated circuits
0207Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
H01L 27/10823
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
108Dynamic random access memory structures
10805with one-transistor one-capacitor memory cells
10823the transistor having a trench structure in the substrate
H01L 27/10876
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
108Dynamic random access memory structures
10844Multistep manufacturing methods
10847for structures comprising one transistor one-capacitor memory cells
10873with at least one step of making the transistor
10876the transistor having a trench structure in the substrate
H01L 27/10891
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
108Dynamic random access memory structures
10844Multistep manufacturing methods
10847for structures comprising one transistor one-capacitor memory cells
10882with at least one step of making a data line
10891with at least one step of making a word line
出願人 PS4 LUXCO S A R L
ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル
発明者 TAKAISHI YOSHIHIRO
高石 芳宏
代理人 鷲頭 光宏
緒方 和文
黒瀬 泰之
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(JA) 半導体装置
要約
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device in which the current driving capability of transistors disposed in adjacent active regions can be improved while the transistors disposed in the adjacent active regions operate without interfering with each other.

SOLUTION: The semiconductor device comprises: first and second transistors 31-1 and 31-2 that are disposed in a first active region 19-1 and have first and second word lines 74 and 75; and first and second transistors 32-1 and 32-2 that are disposed in the first active region 19-1 and have third and fourth word lines 98 and 99. The first word line 74 constituting the first transistors 31-1 and 32-1 are in contact with a second element isolation region 17A or a second element isolation region 17B. The fourth word line 99 constituting the second transistors 31-2 and 32-2 is in contact with the second element isolation region 17B or a second element isolation region 17C.

COPYRIGHT: (C)2015,JPO&INPIT


(JA)

【課題】本発明は、隣接する活性領域に配置されるトランジスタの動作が干渉することなく、隣接する活性領域に配置されたトランジスタの電流駆動能力を向上させることの可能な半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第1の活性領域19−1に配置され、かつ第1及び第2のワード線74,75を有する第1及び第2のトランジスタ31−1,31−2と、第1の活性領域19−1に配置され、かつ第3及び第4のワード線98,99を有する第1及び第2のトランジスタ32−1,32−2と、を有し、第1のトランジスタ31−1,32−1を構成する第1のワード線74と第2の素子分離領域17Aまたは第2の素子分離領域17Bとを接触させ、第2のトランジスタ31−2,32−2を構成する第4のワード線99と第2の素子分離領域17Bまたは第2の素子分離領域17Cとを接触させる。
【選択図】図1B


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