しばらくお待ちください...
PATENTSCOPE に関してご感想や「ここを改善してほしい」「ここを充実させてほしい」等のご要望がありましたら、是非お聞かせください。
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device in which the current driving capability of transistors disposed in adjacent active regions can be improved while the transistors disposed in the adjacent active regions operate without interfering with each other.
SOLUTION: The semiconductor device comprises: first and second transistors 31-1 and 31-2 that are disposed in a first active region 19-1 and have first and second word lines 74 and 75; and first and second transistors 32-1 and 32-2 that are disposed in the first active region 19-1 and have third and fourth word lines 98 and 99. The first word line 74 constituting the first transistors 31-1 and 32-1 are in contact with a second element isolation region 17A or a second element isolation region 17B. The fourth word line 99 constituting the second transistors 31-2 and 32-2 is in contact with the second element isolation region 17B or a second element isolation region 17C.
COPYRIGHT: (C)2015,JPO&INPIT
【課題】本発明は、隣接する活性領域に配置されるトランジスタの動作が干渉することなく、隣接する活性領域に配置されたトランジスタの電流駆動能力を向上させることの可能な半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】第1の活性領域19−1に配置され、かつ第1及び第2のワード線74,75を有する第1及び第2のトランジスタ31−1,31−2と、第1の活性領域19−1に配置され、かつ第3及び第4のワード線98,99を有する第1及び第2のトランジスタ32−1,32−2と、を有し、第1のトランジスタ31−1,32−1を構成する第1のワード線74と第2の素子分離領域17Aまたは第2の素子分離領域17Bとを接触させ、第2のトランジスタ31−2,32−2を構成する第4のワード線99と第2の素子分離領域17Bまたは第2の素子分離領域17Cとを接触させる。【選択図】図1B