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1. JP2013161976 - 基板加工方法及び基板加工装置

官庁
日本
出願番号 2012023333
出願日 06.02.2012
公開番号 2013161976
公開日 19.08.2013
特許番号 5995045
特許付与日 02.09.2016
公報種別 B2
IPC
H01L 21/304
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B23K 26/00
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
B23K 26/08
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
08レーザービームと加工物とが相対移動する装置
B23K 26/40
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
36材料の除去
40材料の性質を考慮したもの
B28D 5/00
B処理操作;運輸
28セメント,粘土,または石材の加工
D石材または石材類似材料の加工
5宝石類,結晶体の精密加工,例.半導体の材料;そのための装置
CPC
B23K 26/0006
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
0006taking account of the properties of the material involved
B23K 26/046
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
04Automatically aligning, aiming or focusing the laser beam, e.g. using the back-scattered light
046Automatically focusing the laser beam
B23K 26/0648
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
064by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
0648comprising lenses
B23K 26/0853
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
083Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
0853Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
B28D 5/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
5Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
B23K 26/0622
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
062by direct control of the laser beam
0622by shaping pulses
出願人 SHIN ETSU POLYMER CO LTD
信越ポリマー株式会社
SAITAMA UNIV
国立大学法人埼玉大学
発明者 KUNISHI YOSUKE
国司 洋介
SUZUKI HIDEKI
鈴木 秀樹
MATSUO RIKA
松尾 利香
IKENO JUNICHI
池野 順一
代理人 三好 秀和
伊藤 正和
高橋 俊一
高松 俊雄
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(JA) 基板加工方法及び基板加工装置
要約
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin silicon substrate with a production yield rate secured.

SOLUTION: The thin silicon processing device comprises: a laser light source 150; a laser light condensing section 160 for radiating laser light 190 from the laser light source 150 toward a surface 101 of a substrate 10, and condensing the laser light to inside of the substrate 10; and positioning means for arranging the laser light condensing section 160 on the substrate in a non-contact manner, so as to relatively move the laser light condensing section 160 and the substrate 10, thereby forming a reformation layer 14 inside the substrate 10. The laser light condensing section 160 condenses laser beam 190 to an optical axis axially symmetrically. Also, light incident on an outer periphery of the laser light condensing section 160 is condensed by the laser light condensing section 160 by light incident on an inner periphery of the laser light condensing section 160 in the substrate 10.

COPYRIGHT: (C)2013,JPO&INPIT

(JA)

【課題】薄いシリコン基板を製品率を確保して提供する。
【解決手段】レーザ光源150と、レーザ光源150からのレーザ光190を基板10の表面101に向けて照射し、基板10内部にレーザ光を集光するレーザ集光部160と、レーザ集光部160を基板10上に非接触に配置する位置決め手段とを有し、レーザ集光部160と基板10を相対的に移動させて、基板10内部に改質層14を形成するものであって、レーザ集光部160は、レーザ光190を光軸に軸対称に集光するとともに、基板10内部において、レーザ集光部160の外周部に入射した光が、レーザ集光部160の内周部に入射した光より、レーザ集光部160で集光するように構成されている。
【選択図】図4