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1. JP2012136373 - 単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材及び単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法

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官庁
日本国
出願番号 2010288476
出願日 24.12.2010
公開番号 2012136373
公開日 19.07.2012
特許番号 5793816
特許付与日 21.08.2015
公報種別 B2
IPC
C30B 29/36
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
36炭化物
C30B 19/12
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
19液相エピタキシャル成長
12基板によって特徴づけられたもの
H01L 21/208
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
208液相成長を用いるもの
CPC
C30B 19/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
19Liquid-phase epitaxial-layer growth
12characterised by the substrate
C30B 28/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
28Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
12directly from the gas state
C30B 29/36
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
36Carbides
Y10T 428/26
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
428Stock material or miscellaneous articles
26Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
出願人 TOYO TANSO KK
東洋炭素株式会社
発明者 TORIMI SATOSHI
鳥見　聡
NOGAMI AKIRA
野上　暁
MATSUMOTO TSUYOSHI
松本　強資
代理人 目次　誠
宮▲崎▼　主税
中山　和俊
発明の名称
(EN) SEED MATERIAL FOR LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE, AND METHOD FOR LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE
(JA) 単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材及び単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法
要約
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inexpensive seed material for liquid phase epitaxial growth of silicon carbide.

SOLUTION: The seed material 12 for liquid phase epitaxial growth of single crystal silicon carbide has a surface layer including polycrystalline silicon carbide whose crystal polymorph is 3C. Through Raman spectroscopic analysis where the excitation wavelength of the surface layer is set at 532 nm, peaks other than TO (transverse optical) peak and LO (longitudinal optical) peak are observed as peaks derived from polycrystalline silicon carbide whose crystal polymorph is 3C.

COPYRIGHT: (C)2012,JPO&INPIT


(JA)

【課題】安価な炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層の励起波長を５３２ｎｍとするラマン分光解析によって、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に由来のピークとして、Ｔ０ピーク及びＬ０ピーク以外のピークが観察される。
【選択図】図１
関連特許文献
US20130263774
CN103270202
EP2657376
KR1020140004108
WO/2012/086240
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