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PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inexpensive seed material for liquid phase epitaxial growth of silicon carbide.
SOLUTION: The seed material 12 for liquid phase epitaxial growth of single crystal silicon carbide has a surface layer including polycrystalline silicon carbide whose crystal polymorph is 3C. Through Raman spectroscopic analysis where the excitation wavelength of the surface layer is set at 532 nm, peaks other than TO (transverse optical) peak and LO (longitudinal optical) peak are observed as peaks derived from polycrystalline silicon carbide whose crystal polymorph is 3C.
COPYRIGHT: (C)2012,JPO&INPIT
【課題】安価な炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を提供する。【解決手段】単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材12は、結晶多形が3Cである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層の励起波長を532nmとするラマン分光解析によって、結晶多形が3Cである多結晶炭化ケイ素に由来のピークとして、T0ピーク及びL0ピーク以外のピークが観察される。【選択図】図1