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1. JP2010278336 - バイポーラ型薄膜トランジスタ

官庁 日本
出願番号 2009130965
出願日 29.05.2009
公開番号 2010278336
公開日 09.12.2010
公報種別 A
IPC
H01L 29/786
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
H01L 51/05
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
出願人 BRIDGESTONE CORP
株式会社ブリヂストン
発明者 SHIINO OSAMU
椎野 修
SUGIE KAORU
杉江 薫
IWABUCHI YOSHINORI
岩淵 芳典
代理人 杉村 憲司
来間 清志
澤田 達也
冨田 和幸
発明の名称
(EN) BIPOLAR THIN FILM TRANSISTOR
(JA) バイポーラ型薄膜トランジスタ
要約
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To construct a bipolar thin film transistor having high performance and high reliability, which is capable of performing n-type and p-type bipolar operations.

SOLUTION: The bipolar thin film transistor is a thin film transistor, which includes: three electrodes of a source electrode, a drain electrode and a gate electrode; and respective elements of a channel layer and a gate insulating film. The channel layer is a laminate of an organic film and a metal-oxide film which contains indium, which is doped with at least one of tungsten, tin and titanium, and the electro-resistivity of which is controlled beforehand.

COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

(JA)

【課題】高性能及び高信頼性を有する、n型及びp型の両極動作が可能なバイポーラ型薄膜トランジスタを構築する。
【解決手段】ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極の3電極、チャネル層及びゲート絶縁膜の各要素を具備してなる薄膜トランジスタにおいて、前記チャネル層は、有機物膜と、タングステン、錫、チタンの少なくとも1つをドープしたインジウムを含み、電気抵抗率が予め制御された金属酸化物膜との積層であることを特徴とするバイポーラ型薄膜トランジスタ。
【選択図】図1