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1. JP2010251604 - 薄膜トランジスタの製造方法

官庁 日本
出願番号 2009101005
出願日 17.04.2009
公開番号 2010251604
公開日 04.11.2010
公報種別 A
IPC
H01L 21/336
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
C23C 14/08
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06被覆材料に特徴のあるもの
08酸化物
C23C 14/58
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
58後処理
H01L 21/363
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まないH01L21/06,H01L21/16およびH01L21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
363物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング
H01L 29/786
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
出願人 BRIDGESTONE CORP
株式会社ブリヂストン
発明者 SHIINO OSAMU
椎野 修
SUGIE KAORU
杉江 薫
IWABUCHI YOSHINORI
岩淵 芳典
代理人 小島 隆司
重松 沙織
小林 克成
石川 武史
発明の名称
(EN) METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR
(JA) 薄膜トランジスタの製造方法
要約
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a thin film transistor, capable of obtaining an indium-containing metal oxide having stable characteristics by a comparatively easy control while maintaining the characteristics such that it can be formed by a non-heating sputter depositing method and includes both high mobility and high amorphous performance, and obtaining a TFT element having stable characteristics.

SOLUTION: The method is provided for manufacturing the thin film transistor, and includes the steps of forming the metal oxide film 2 by performing the sputtering without heating a substrate 1, and forming constituents such as a channel layer 3, a source electrode 4, a drain electrode 5 and a gate electrode 1 on the substrate followed by applying heat treatment.

COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

(JA)

【課題】無加熱のスパッタ成膜法で形成でき、かつ高い移動度とアモルファス性を兼備するという特徴を維持したまま、比較的容易な制御により安定的な特性を有する含インジウム金属酸化物膜を得ることができ、安定的な特性を有するTFT素子を得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板1の加熱を行わずに上記スパッタを行って上記金属酸化膜3を形成し、上記チャネル層3、ソース電極4、ドレイン電極5及びゲート電極2の各要素を基板上に形成した後、熱処理を施すことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【選択図】図1