処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. JP2010077452 - 高周波スパッタリング装置

官庁 日本
出願番号 2008215386
出願日 25.08.2008
公開番号 2010077452
公開日 08.04.2010
特許番号 5190316
特許付与日 01.02.2013
公報種別 B2
IPC
C23C 14/34
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
C23C 14/08
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06被覆材料に特徴のあるもの
08酸化物
H01L 43/08
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08磁界制御抵抗
H01L 43/12
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
12これらの装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人 CANON ANELVA CORP
キヤノンアネルバ株式会社
発明者 NAGAMINE YOSHINORI
永峰 佳紀
NAKAMURA TSURAHITO
中村 貫人
TSUNEKAWA KOJI
恒川 孝二
代理人 岡部 讓
岡部 正夫
加藤 伸晃
臼井 伸一
越智 隆夫
朝日 伸光
三山 勝巳
優先権情報 2009535931 04.10.2007 WO
発明の名称
(EN) HIGH-FREQUENCY SPUTTERING DEVICE
(JA) 高周波スパッタリング装置
要約
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-quality magnetoresistive thin film by using a method for controlling self bias of a high-frequency sputtering device.

SOLUTION: The high-frequency sputtering device, wherein a substrate potential is adjusted so as to control the self bias for the substrate, includes a chamber, an air exhaust means for discharging air from the chamber, a gas introduction means for supplying a gas into the chamber, a substrate holder having a table on which the substrate is mounted, a rotation drive means which can rotate the substrate holder, a sputtering cathode characterized in that the surface of the substrate mounting table is not parallel to the surface of the target mounting table, an electrode arranged inside the substrate holder, and a variable impedance mechanism electrically connected to the electrode for adjusting the substrate potential on the substrate holder.

COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

(JA)

【課題】高周波スパッタリング装置の自己バイアスを制御する手法により高品質の磁気抵抗薄膜を提供する。
【解決手段】基板電位を調整することで基板に対する自己バイアスの制御を行うために、本発明に従った高周波スパッタリング装置は、チャンバと、チャンバの内部を排気する排気手段と、チャンバ内にガスを供給するガス導入手段と、基板載置台を備える基板ホルダと、基板ホルダを回転させることが可能な回転駆動手段と、ターゲット載置台を備えるスパッタリングカソードであって、基板載置台の表面とターゲット載置台の表面とが非平行となるように配置されることを特徴とするスパッタリングカソードと、基板ホルダ内部に設けられた電極と、電極と電気的に接続されており基板ホルダ上の基板電位を調整する可変インピーダンス機構と、を有する。
【選択図】図1A