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1. JP2009107896 - シリコンの製造方法

官庁 日本
出願番号 2007282861
出願日 31.10.2007
公開番号 2009107896
公開日 21.05.2009
公報種別 A
IPC
C01B 33/033
C化学;冶金
01無機化学
B非金属元素;その化合物
33けい素;その化合物
02けい素
021製造
027シリカまたはシリカ含有材料以外の気体状または気化されたけい素化合物の分解または還元によるもの
033金属または合金のみを還元剤とする,けい素ハロゲン化物またはハロシランの還元によるもの
出願人 COVALENT MATERIALS CORP
株式会社キノテック
KINOTECH SOLAR ENERGY CORP
発明者 OHASHI TADASHI
大橋 忠
MATSUMURA TAKASHI
松村 尚
TAKEUCHI YOSHINORI
武内 喜則
SAKAKI DAISUKE
榊 大介
代理人 木下 茂
石村 理恵
発明の名称
(EN) PROCESS FOR PRODUCTION OF SILICON
(JA) シリコンの製造方法
要約
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a process for the production of silicon where the recovery rate of produced silicon can be improved without complicating a production process and a production apparatus.

SOLUTION: In the process for the production of silicon using a zinc reduction process where silicon tetrachloride gas is reduced with zinc gas, while heating a tubular reactor 10 elected in a vertical direction by a heating furnace 20, the inside of the reaction tube 10 is fed with zinc gas from a zinc gas feed port 30a provided at the side circumferential face of the tubular reaction 10, further, silicon tetrachloride gas is discharged from the part lower than the zinc gas feed port 30a toward the upper part along the central axis C of the tubular reactor 10, and the temperature distribution in the reactor 10 is controlled in such a manner that the side on the central axis C is lower than that on the side of the side circumferential face, so as to produce silicon powder.

COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

(JA)

【課題】製造工程および製造装置を煩雑化させることなく、生成シリコンの回収率の向上を図ることができるシリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】四塩化珪素ガスを亜鉛ガスにより還元する亜鉛還元法を用いたシリコンの製造方法において、鉛直方向に立設された反応管10を、周囲に配置された加熱炉20で加熱しながら、前記反応管10内に、亜鉛ガスを前記反応管10の側周面に設けられた亜鉛ガス供給口30aから供給するとともに、四塩化珪素ガスを前記亜鉛ガス供給給口30aよりも下方から前記反応管10の中心軸Cに沿って上方に向かって吐出させて、前記反応管10内の温度分布を側周面側よりも中心軸C側の方が低くなるように制御して、シリコン粉を生成させる。
【選択図】図1