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1. JP2009107877 - シリコン製造装置

官庁 日本
出願番号 2007281416
出願日 30.10.2007
公開番号 2009107877
公開日 21.05.2009
公報種別 A
IPC
C01B 33/033
C化学;冶金
01無機化学
B非金属元素;その化合物
33けい素;その化合物
02けい素
021製造
027シリカまたはシリカ含有材料以外の気体状または気化されたけい素化合物の分解または還元によるもの
033金属または合金のみを還元剤とする,けい素ハロゲン化物またはハロシランの還元によるもの
出願人 COVALENT MATERIALS CORP
クアーズテック株式会社
KINOTECH SOLAR ENERGY CORP
株式会社キノテック
発明者 OHASHI TADASHI
大橋 忠
MATSUMURA TAKASHI
松村 尚
TAKEUCHI YOSHINORI
武内 喜則
SAKAKI DAISUKE
榊 大介
代理人 波多野 久
関口 俊三
猿渡 章雄
河村 修
発明の名称
(EN) SILICON PRODUCTION DEVICE
(JA) シリコン製造装置
要約
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a silicon production device where the whole can be simplified, maintenance is excellent, and silicon can be inexpensively produced.

SOLUTION: The polysilicon production device includes: a reaction tube 10; a heating furnace 20 heating the reaction tube 10; a zinc feed tube 30 feeding zinc into the reaction tube 10; a zinc charge part 40 charging the inside of the zinc feed tube 10 with zinc; a silicon compound feed tube 50 feeding a silicon compound into the reaction tube 10. The zinc feed tube 30 includes a zinc discharge port 30a discharging the inside of the reaction tube 10 with zinc; and a heating part 30b provided between the zinc discharge port 30a and the zinc charge part 40 and heating zinc charged from the zinc charge part 40. The zinc discharge port 30a and the heating part 30b are provided inside the reaction tube 10 and also are provided within a heating region heated by the heating furnace 20.

COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

(JA)

【課題】装置全体を簡素化することができ、メンテナンス性に優れ、安価にシリコンを生成することができるシリコン製造装置の提供。
【解決手段】本発明のポリシリコン製造装置は、反応管10と、反応管10を加熱する加熱炉20と、反応管10内に亜鉛を供給する亜鉛供給管30と、亜鉛供給管30内に亜鉛を投入する亜鉛投入部40と、反応管10内に珪素化合物を供給する珪素化合物供給管50と、を備え、亜鉛供給管30は、反応管10内に亜鉛を吐出する亜鉛吐出口30aと、亜鉛吐出口30aと亜鉛投入部40との間に設けられ、亜鉛投入部40より投入された亜鉛を加熱する加熱部30bと、を備え、亜鉛吐出口30a及び加熱部30bは、反応管10内に設けられ、かつ、加熱炉20によって加熱される加熱領域α内に設けられていることを特徴とする。
【選択図】 図1