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1. JP2009102190 - シリコン製造装置

官庁 日本
出願番号 2007274831
出願日 23.10.2007
公開番号 2009102190
公開日 14.05.2009
公報種別 A
IPC
C01B 33/033
C化学;冶金
01無機化学
B非金属元素;その化合物
33けい素;その化合物
02けい素
021製造
027シリカまたはシリカ含有材料以外の気体状または気化されたけい素化合物の分解または還元によるもの
033金属または合金のみを還元剤とする,けい素ハロゲン化物またはハロシランの還元によるもの
出願人 COVALENT MATERIALS CORP
クアーズテック株式会社
KINOTECH SOLAR ENERGY CORP
株式会社キノテック
発明者 OHASHI TADASHI
大橋 忠
MATSUMURA TAKASHI
松村 尚
TAKEUCHI YOSHINORI
武内 喜則
SAKAKI DAISUKE
榊 大介
代理人 波多野 久
関口 俊三
猿渡 章雄
河村 修
発明の名称
(EN) SILICON MANUFACTURING APPARATUS
(JA) シリコン製造装置
要約
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a silicon manufacturing apparatus capable of simplifying the whole apparatus and manufacturing silicon at a low cost.

SOLUTION: The silicon manufacturing apparatus includes a reaction tube 10, a heating furnace 20 for heating the reaction tube 10, a zinc supply pipe 30 for supplying zinc to the reaction tube 10, a zinc charging part 40 for charging zinc into the zinc supply pipe 30, and a silicon compound supply pipe 50 for supplying a silicon compound into the reaction tube 10, wherein a connection part 30b of the zinc supply pipe 30 and a heating part 30a are provided in a heating region () of the heating furnace 20.

COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

(JA)

【課題】装置全体を簡素化することができ、安価でシリコンを生成することができるシリコン製造装置の提供。
【解決手段】本発明のポリシリコン製造装置は、反応管10と、反応管10を加熱する加熱炉20と、反応管10内に亜鉛を供給する亜鉛供給管30と、亜鉛供給管30内に亜鉛を投入する亜鉛投入部40と、反応管10内に珪素化合物を供給する珪素化合物供給管50と、を備え、亜鉛供給管30の連結部30b及び加熱部30aは、加熱炉20の加熱領域α内に設けられている。
【選択図】 図1