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PATENTSCOPE に関してご感想や「ここを改善してほしい」「ここを充実させてほしい」等のご要望がありましたら、是非お聞かせください。
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma deposition apparatus capable of reducing particles even when forming a film by applying bias to a substrate.
SOLUTION: In the plasma deposition apparatus for applying bias to a wafer 5 mounted on a support 4 in a chamber and forming a thin film on the wafer 5 by using plasma, the support 4 includes a cylindrical support body 4b of which the outer diameter C of a contact surface 4a with the wafer 5 is smaller than an outer diameter W of the wafer 5 and a collar part 4c extended from the side surface 4d of the support body 4b in an outer peripheral direction, and a prescribed gap G1 is formed between the collar part 4c and the backside of the outer periphery of the wafer 5.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
【課題】基板にバイアスを印加して成膜する場合においても、パーティクルを低減することができるプラズマ成膜装置を提供する。【解決手段】チャンバ内の支持台4上に載置したウェハ5にバイアスを印加すると共に、ウェハ5上にプラズマを用いて薄膜を形成するプラズマ成膜装置において、支持台4は、ウェハ5との接触面4aの外径Cがウェハ5の外径Wより小さい円柱状の支持台本体4bと、支持台本体4bの側面4dから外周方向に延設された鍔部4cとを備え、鍔4cとウェハ5の外周の裏面との間に所定の隙間G1を形成している。【選択図】図2