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1. JPWO2004042821 - 半導体記憶装置

官庁 日本
出願番号 2004549569
出願日 08.11.2002
公開番号 WO2004042821
公開日 21.05.2004
公報種別 A5
IPC
G11C 11/409
G物理学
11情報記憶
C静的記憶
11特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置;そのための記憶素子
21電気的素子を用いるもの
34半導体装置を用いるもの
40トランジスタを用いるもの
401リフレッシングまたは電荷再生,すなわちダイナミック・セル
4063周辺回路,例.アドレス用,デコード用,駆動用,書込み用,センス用,またはタイミング用
407電界効果型のメモリ・セル用の周辺回路
409読出し-書込み回路
G11C 11/401
G物理学
11情報記憶
C静的記憶
11特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置;そのための記憶素子
21電気的素子を用いるもの
34半導体装置を用いるもの
40トランジスタを用いるもの
401リフレッシングまたは電荷再生,すなわちダイナミック・セル
CPC
G11C 7/062
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
7Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
06Sense amplifiers; Associated circuits, ; e.g. timing or triggering circuits
062Differential amplifiers of non-latching type, e.g. comparators, long-tailed pairs
G11C 5/063
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
5Details of stores covered by G11C11/00
06Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring
063Voltage and signal distribution in integrated semi-conductor memory access lines, e.g. word-line, bit-line, cross-over resistance, propagation delay
G11C 7/065
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
7Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
06Sense amplifiers; Associated circuits, ; e.g. timing or triggering circuits
065Differential amplifiers of latching type
G11C 7/08
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
7Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
06Sense amplifiers; Associated circuits, ; e.g. timing or triggering circuits
08Control thereof
G11C 7/1078
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
7Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
1078Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
G11C 7/1096
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
7Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
1078Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
1096Write circuits, e.g. I/O line write drivers
出願人 株式会社日立製作所
マイクロンメモリジャパン株式会社
株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
発明者 関口 知紀
宮武 伸一
阪田 健
竹村 理一郎
野田 浩正
梶谷 一彦
代理人 筒井 大和
発明の名称
(JA) 半導体記憶装置
要約