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1. JP2005101454 - 気化器

官庁 日本
出願番号 2003335605
出願日 26.09.2003
公開番号 2005101454
公開日 14.04.2005
公報種別 A
IPC
H01L 21/31
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
C23C 16/448
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
448反応性ガス流を発生させるために用いる方法に特徴があるもの,例.先行する材料の蒸発または昇華によるもの
CPC
C23C 16/4481
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
448characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
4481by evaporation using carrier gas in contact with the source material
出願人 WATANABE SHOKO:KK
株式会社渡辺商行
TSUDA MASAYUKI
都田 昌之
発明者 KUSUHARA MASAKI
楠原 昌樹
TSUDA MASAYUKI
都田 昌之
代理人 福森 久夫
発明の名称
(EN) VAPORIZER
(JA) 気化器
要約
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vaporizer securing a long route of a reaction tube and further stirring carrier gases resulting from diffusing a raw material solution in a direction crossing a passing direction with a centrifugal force that is generated when passing the inside, to promote uniform vaporization using radiation heat from a heater.

SOLUTION: The carrier gases resulting from diffusing the raw material solution composed of a liquid or powder are supplied from the upstream side to a helical reaction tube 103, and the carrier gases resulting from diffusing the raw material solution passing inside the reaction tube 103 are vaporized by the radiation heat of a heater 104.

COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

(JA)

【課題】反応管の経路を長く確保することができるうえ、その内部を通過する際に発生する遠心力により原料溶液を分散したキャリアガスが通過方向と交差する方向に攪拌されることにより満遍なくヒータからの輻射熱による気化を促進することができる気化器を提供する。
【解決手段】螺旋状の反応管103に液体若しくは粉体からなる原料溶液を分散したキャリアガスが上流側から供給され、反応管103内を通過する原料溶液を分散したキャリアガスがヒータ104の輻射熱により気化される。
【選択図】図1