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1. (JPWO2008123351) 超純水製造システムの洗浄殺菌方法

官庁 : 日本
出願番号: JP2008055859 出願日: 27.03.2008
公開番号: WO2008123351 公開日: 16.10.2008
公報種別: A1
IPC:
A61L 2/04
C02F 1/50
A61L 2/18
C02F 1/72
H01L 21/304
A 生活必需品
61
医学または獣医学;衛生学
L
材料またはものを殺菌するための方法または装置一般;空気の消毒,殺菌または脱臭;包帯,被覆用品,吸収性パッド,または手術用物品の化学的事項;包帯,被覆用品,吸収性パッド,または手術用物品のための材料
2
食料品またはコンタクト・レンズ以外の材料またはものを消毒または殺菌するための方法または装置;その付属品
02
物理現象を利用するもの
04
C 化学;冶金
02
水,廃水,下水または汚泥の処理
F
水,廃水,下水または汚泥の処理
1
水,廃水または下水の処理
50
殺菌剤の添加もしくは適用によるものまたはオリゴダイナミック処理によるもの
A 生活必需品
61
医学または獣医学;衛生学
L
材料またはものを殺菌するための方法または装置一般;空気の消毒,殺菌または脱臭;包帯,被覆用品,吸収性パッド,または手術用物品の化学的事項;包帯,被覆用品,吸収性パッド,または手術用物品のための材料
2
食料品またはコンタクト・レンズ以外の材料またはものを消毒または殺菌するための方法または装置;その付属品
16
化学物質を使用するもの
18
液状物質
C 化学;冶金
02
水,廃水,下水または汚泥の処理
F
水,廃水,下水または汚泥の処理
1
水,廃水または下水の処理
72
酸化によるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人: 栗田工業株式会社
発明者: 横井 生憲
代理人: 重野 剛
優先権情報: 2007091667 30.03.2007 JP
発明の名称: (JA) 超純水製造システムの洗浄殺菌方法
要約: front page image
(JA)

超純水製造装置、超純水のユースポイント、並びに前記超純水製造装置と前記ユースポイントとを接続する超純水の流路からなる超純水製造システムを洗浄及び殺菌する方法において、系内の少なくとも一部をアルカリ性溶液で洗浄するアルカリ洗浄工程と該アルカリ洗浄後に殺菌水で殺菌する殺菌工程とを行う洗浄殺菌工程を2回以上行うことを特徴とする超純水製造システムの洗浄殺菌方法。洗浄殺菌工程を2回以上行うことにより、超純水製造システム系内の金属、有機物、微粒子、生菌を高効率で除去することができ、洗浄殺菌後、短期間で要求水質を満足する超純水を製造することができる。


また、:
SG156053KR1020100014390US20100032387CN101687052CN105381482JP5287713
WO/2008/123351