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1. (JPWO2006038584) 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法

官庁 : 日本
出願番号: JP2005018283 出願日: 03.10.2005
公開番号: WO2006038584 公開日: 13.04.2006
公報種別: A1
IPC:
H01L 21/31
H01L 21/68
H01L 21/22
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
68
位置決め,方向決め,または整列のためのもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
22
半導体本体へのまたは半導体本体からのまたは半導体領域間の不純物材料,例.ドーピング材料,電極材料,の拡散;不純物材料の再分布,例.さらなるドーパントの導入または除去をしないもの
出願人: 株式会社日立国際電気
発明者: 平野 誠
山岸 紀睦
吉田 明弘
代理人: 赤澤 日出夫
優先権情報: 2004293244 06.10.2004 JP
発明の名称: (JA) 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
要約:
(JA)

複数の基板に所定の加熱処理を施す処理炉と、前記複数の基板を積層配置して前記処理炉へ搬入・搬出するためのボートと、該ボートに積層配置される前記複数の基板に対して相対位置を変化させて基板を検出する基板検出センサと、前記複数の基板の基準位置、および前記複数の基板の基準位置に対する位置ずれ許容範囲を登録する制御部とを備え、前記制御部が、前記基板検出センサの測定した前記複数の基板の位置情報を入力し、前記複数の基板の位置情報が前記複数の基板の基準位置に対し前記位置ずれ許容範囲を超えていた場合は、前記複数の基板の位置情報の平均値と最大値とを比較すると共に、前記複数の基板の位置情報の平均値と最小値とを比較し、前記それぞれの比較により求められた差が前記基板のずれの許容範囲内であれば、ボート停止位置のずれと判断する。


また、:
US20080127467JP4555302WO/2006/038584