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1. (JPWO2006035877) 半導体装置

官庁 : 日本
出願番号: JP2005017963 出願日: 29.09.2005
公開番号: WO2006035877 公開日: 06.04.2006
公報種別: A1
IPC:
H01L 29/78
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
出願人: 松下電器産業株式会社
発明者: 溝口 修二
角田 一晃
代理人: 前田 弘
竹内 宏
嶋田 高久
竹内 祐二
今江 克実
藤田 篤史
二宮 克也
原田 智雄
井関 勝守
関 啓
杉浦 靖也
優先権情報: 2004283888 29.09.2004 JP
発明の名称: (JA) 半導体装置
要約:
(JA)

半導体基板にトレンチが形成され、トレンチは、ゲート電極が配置するゲート電極部と、ゲート電極と外部とを電気的に接続するための配線が接するゲート引き出し部とを有する。ゲート電極を外部と電気的に接続するためのゲート引き出し部では、トレンチの終端部の幅が、トレンチのうちの他の部分よりも広く形成されている。


また、:
US20080211017CN101032030WO/2006/035877