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1. (JPWO2015137485) レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

官庁 : 日本
出願番号: 2016507845 出願日: 13.03.2015
公開番号: WO2015137485 公開日: 17.09.2015
特許番号: 6515919 特許付与日: 26.04.2019
公報種別: B2
IPC:
G03F 7/038
G03F 7/004
G03F 7/20
C07C 39/15
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
038
不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
04
クロム酸塩
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
C 化学;冶金
07
有機化学
C
非環式化合物または炭素環式化合物
39
6員芳香環の炭素原子に結合している少なくとも1個の水酸基またはO―金属基をもつ化合物
12
芳香環以外に不飽和結合を有しない多環式のもの
15
すべての水酸基を非縮合環に有するもの
出願人: 三菱瓦斯化学株式会社
発明者: 佐藤 隆
越後 雅敏
代理人: 稲葉 良幸
大貫 敏史
内藤 和彦
優先権情報: 2014050767 13.03.2014 JP
発明の名称: (JA) レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
要約:
(JA)

本発明に係るレジスト組成物は、特定の式で表される化合物を含む。上記化合物は、低分子量ながらも、その高芳香族性骨格により高い耐熱性を有し、高温ベーク条件でも使用可能である。上記のように構成されているため、本発明に係るレジスト組成物は、耐熱性に優れ、安全溶媒に対する溶解性が高く、高感度で、かつ、良好なレジストパターン形状を付与できる。すなわち、本発明に係るレジスト組成物は、酸増幅型非高分子系レジスト材料として有用である。


Also published as:
SG11201607443XEP3118684US20170075220CN106133604KR1020160134678WO/2015/137485