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1. (JPWO2015137274) 酸化物焼結体、スパッタリング用ターゲット、及びそれを用いて得られる酸化物半導体薄膜

官庁 : 日本
出願番号: 2016507730 出願日: 09.03.2015
公開番号: WO2015137274 公開日: 17.09.2015
特許番号: 6256592 特許付与日: 15.12.2017
公報種別: B2
IPC:
C23C 14/34
C04B 35/01
C23C 14/08
H01B 1/08
H01B 5/14
H01L 21/363
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
C 化学;冶金
04
セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B
石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
35
組成に特徴を持つ成形セラミック製品;セラミック組成;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理
01
酸化物を基とするもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
08
酸化物
H 電気
01
基本的電気素子
B
ケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択
1
導電材料によって特徴づけられる導体または導電物体;導体としての材料の選択
06
主として他の非金属物質からなるもの
08
酸化物
H 電気
01
基本的電気素子
B
ケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択
5
形を特徴とする非絶縁導体または導電物体
14
絶縁支持体上に導電層または導電フイルムを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない21/06,21/16および21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
363
物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング
出願人: 住友金属鉱山株式会社
発明者: 中山 徳行
西村 英一郎
井藁 正史
代理人: 正林 真之
林 一好
優先権情報: 2014052461 14.03.2014 JP
発明の名称: (JA) 酸化物焼結体、スパッタリング用ターゲット、及びそれを用いて得られる酸化物半導体薄膜
要約:
(JA)

スパッタリング法によって酸化物半導体薄膜とした場合に、低キャリア濃度、高キャリア移動度が得られる酸化物焼結体、及びそれを用いたスパッタリング用ターゲットを提供する。
この酸化物焼結体は、インジウムおよびガリウムを酸化物として含有し、窒素を含有し、亜鉛を含有しない。ガリウムの含有量がGa/(In+Ga)原子数比で0.005以上0.20未満であり、GaN相を実質的に含まない。また、Ga相を有さないことが好ましい。この酸化物焼結体をスパッタリング用ターゲットとして形成した結晶質の酸化物半導体薄膜は、キャリア濃度1.0×1018cm−3以下で、キャリア移動度10cm−1sec−1以上が得られる。


Also published as:
CN106103379KR1020160106700US20170077243WO/2015/137274